講演名 2003/6/19
高感度CMOSブルートゥーストランシーバ用アナログ受信回路の試作(信号処理,LSI,及び一般)
丘 維礼, 麻殖生 健治, 大島 俊, 柴原 禎之, 土居 武司, 尾崎 輝世晴, 荒屋敷 聡,
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抄録(和) ブルートゥーストランシーバは低コスト・高集積化を実現するため,微細CMOSプロセスが注目され,最近2年間にO.18um CMOSチップの発表が目立った.一方,受信の高感度化が進み,標準規格より10dB良い受信感度が一般的になってきた.本研究ではLow-IF式受信機に適用する0.18um CMOSプロセスのアナログ回路を開発した.感度向上のために,IF回路では広いダイナミックレンジ回路方式,および,低雑音多段可変利得増幅器とフィルタを採用した結果,試作したアナログ受信回路はRF雑音指数5.4dB,システム感度-88dBmを実現できた.干渉波に対する受信性能についてはBER評価を行い,要求仕様を満足することも確認した.
抄録(英) Deep sub-micron CMOS is receiving much attention for realizing low-cost, highly integrated Bluetooth transceivers, and in the last two years several papers were published on O.18um CMOS Bluetooth transceiver chips. During about the same period, sensitivities 10dB better than the standard specification have become common. The authors report the development of analog circuits using 0.18um CMOS for a low-IF Bluetooth receiver. In order to improve sensitivity, large dynamic range circuit techniques and a low noise multi-stage programmable gain amplifier and filter were adopted for the IF block. The fabricated analog receiver's RF block had a 5.4dB NF and the system sensitivity was -88dBm. Specifications for blocking signals were also satisfied.
キーワード(和) Bluetooth / トランシーバ / CMOS / Low-IF / 自動周波数調整
キーワード(英) Bluetooth / transceiver / CMOS / Low-IF / frequency self-tuning
資料番号 CAS2003-16,VLD2003-26,DSP2003-46
発行日

研究会情報
研究会 VLD
開催期間 2003/6/19(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 VLSI Design Technologies (VLD)
本文の言語 ENG
タイトル(和) 高感度CMOSブルートゥーストランシーバ用アナログ受信回路の試作(信号処理,LSI,及び一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Analog Receiver Circuits for a High-Sensitivity CMOS Bluetooth Transceiver
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) Bluetooth / Bluetooth
キーワード(2)(和/英) トランシーバ / transceiver
キーワード(3)(和/英) CMOS / CMOS
キーワード(4)(和/英) Low-IF / Low-IF
キーワード(5)(和/英) 自動周波数調整 / frequency self-tuning
第 1 著者 氏名(和/英) 丘 維礼 / Willy HIOE
第 1 著者 所属(和/英) (株)日立製作所中央研究所
Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd.
第 2 著者 氏名(和/英) 麻殖生 健治 / Kenji MAIO
第 2 著者 所属(和/英) (株)日立製作所中央研究所
Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd.
第 3 著者 氏名(和/英) 大島 俊 / Takashi OOSHIMA
第 3 著者 所属(和/英) (株)日立製作所中央研究所
Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd.
第 4 著者 氏名(和/英) 柴原 禎之 / Yoshiyuki SHIBAHARA
第 4 著者 所属(和/英) (株)日立製作所中央研究所
Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd.
第 5 著者 氏名(和/英) 土居 武司 / Tadeshi DOI
第 5 著者 所属(和/英) (株)日立製作所中央研究所
Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd.
第 6 著者 氏名(和/英) 尾崎 輝世晴 / Kiyoharu OZAKI
第 6 著者 所属(和/英) (株)ルネサステクノロジ第2事業本部
Analog & Discrete Semiconductor BU, Renesas Technology Corp.
第 7 著者 氏名(和/英) 荒屋敷 聡 / Satoshi ARAYASHIKI
第 7 著者 所属(和/英) (株)ルネサステクノロジ第2事業本部
Analog & Discrete Semiconductor BU, Renesas Technology Corp.
発表年月日 2003/6/19
資料番号 CAS2003-16,VLD2003-26,DSP2003-46
巻番号(vol) vol.103
号番号(no) 144
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日