| 講演名 | 2003/2/28 V-driverによるオンチップバスの低電力化(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI) 山下 高廣, 有馬 幸生, 石橋 孝一郎, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | チップ内バス配線では微細化により隣接配線間の容量が増大している。隣接配線が逆方向に同時に遷移するとミラー容量により線間容量の影響が増大する。同時の逆相遷移を防ぐことによりバスの低電力化を実現するV-driverの回路について提案する。 V-driverのシミュレーションによる評価解析、およびチップ試作を行った。本回路をバスドライバとして使用することでピーク電流を39.1%、消費電力を32.7%削減できることを示した。CMOS0.13μmテクノロジーで試作を行い、0.9mm長のバスで27.9%の電力削減を確認した。 |
| 抄録(英) | A bus driver circuit which reduces power dissipation of interconnect is described. The proposed V-driver prevents simultaneous signal transition of opposite direction. Simulated results show up to 39.2% peak power current and 32.7% power reduction at 130μm technology. Test chip was fabricated and measured results show 27.9% power reduction at 0.9mm bus. |
| キーワード(和) | バス配線の低電力化 / バスドライバ / 線間容量 |
| キーワード(英) | bus power / power reduction / bus driver / coupling capacitance |
| 資料番号 | VLD2002-162,ICD2002-227 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
|---|---|
| 開催期間 | 2003/2/28(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | V-driverによるオンチップバスの低電力化(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Bus powef reduction using V-driver |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | バス配線の低電力化 / bus power |
| キーワード(2)（和/英） | バスドライバ / power reduction |
| キーワード(3)（和/英） | 線間容量 / bus driver |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山下 高廣 / Takahiro Yamashita |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)半導体理工学研究センター設計技術開発部低電力技術開発室 Low Power Technology Group, Design Technology Development Dept. Semiconductor Technology Academic Research Center |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 有馬 幸生 / Yukio Arima |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)半導体理工学研究センター設計技術開発部低電力技術開発室 Low Power Technology Group, Design Technology Development Dept. Semiconductor Technology Academic Research Center |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石橋 孝一郎 / Koichiro Ishibashi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)半導体理工学研究センター設計技術開発部低電力技術開発室 Low Power Technology Group, Design Technology Development Dept. Semiconductor Technology Academic Research Center |
| 発表年月日 | 2003/2/28 |
| 資料番号 | VLD2002-162,ICD2002-227 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 684 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |