| 講演名 | 2002/11/21 CMOSデジタル回路の基板雑音発生モデル化手法 永田 真, 森江 隆, 岩田 穆, |
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| 抄録(和) | CMOSデジタル回路における基板雑音発生を、時間領域で高精度にシミュレーション可能な時系列分割寄生容量列モデル化手法を提案する。0.25-μmCMOSプロセスで試作したZ80プロセッサについて、本手法に基づくシミュレーションで得られた基板雑音波形は200-ps/100-μV分解能で実測した雑音波形と動作周波数125MHzまで良く一致し、またそのピーク雑音振幅も2.5Vから1.6Vの電源電圧低下に対し2%以内の誤差で予測できることを確認した。Z80プロセッサの62.5MHz動作時の基板雑音シミュレーション時間は、モデル生成時間を含めて10秒以下である。 |
| 抄録(英) | A time-series divided parasitic capacitance model accurately simulates substrate noise generation of practical CMOS digital integrated circuits in time domain. The simulation of a 0.25-μm z80 micro-controller with 62.5-MHz clock frequency costs less than 10 sec. per a clock cycle including the model generation. Simulated substrate noise well consists with 200-ps 100-μV resolution measurements in wave-shapes validated for clock frequency up to 125 MHz and shows the peak-amplitude error of less than 2% against supply-voltage scaling from 2.5 V to 1.6 V. |
| キーワード(和) | 基板雑音 / 電源雑音 / 電源電流モデル / クロストーク |
| キーワード(英) | Substrate noise / Power-supply noise / Power-supply current modeling / Crosstalk |
| 資料番号 | VLD2002-93 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2002/11/21(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | CMOSデジタル回路の基板雑音発生モデル化手法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Modeling Substrate Noise Generation in CMOS Digital Integrated Circuits |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 基板雑音 / Substrate noise |
| キーワード(2)（和/英） | 電源雑音 / Power-supply noise |
| キーワード(3)（和/英） | 電源電流モデル / Power-supply current modeling |
| キーワード(4)（和/英） | クロストーク / Crosstalk |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 永田 真 / Makoto NAGATA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 神戸大学工学部 Department of Computer and Systems Engineering, Kobe University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森江 隆 / Takashi MORIE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州工業大学大学院生命体工学研究科 Graduate School of Life Science and Systems Engineering, Kyushu Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岩田 穆 / Atsushi IWATA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研究科 Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 発表年月日 | 2002/11/21 |
| 資料番号 | VLD2002-93 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 476 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |