| 講演名 | 2002/6/20 3次元VLSIにおける遺伝的アルゴリズムを用いた直線スタイナー問題 豊原 健一, 瀬尾 賢治, 大村 道郎, |
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| 抄録(和) | 近年の大規模集積回路における製造技術の進歩に伴い,3次元のMCMや,回路素子自体を3次元に集積化し,複数の能動層を持つ3次元VLSIに関する研究が注目されている.本稿では,3次元VLSIにおける配線長と半径を最小化する3次元の直線スタイナー木を遺伝的アルゴリズムによって求める手法を提案する.本手法ではまず任意の3次元座標を持った端子に対し,3次元のユークリッド最小全域木を求め,2点間をx軸,y軸,またはz軸に平行な線分の並びと置き換えることにより,3次元の直線スタイナー木を求める.本稿では提案するアルゴリズムと共に,性能評価のために行ったシミュレーション結果についても述べる。 |
| 抄録(英) | With the advance of VLSI process technology, 3-D MCMs, and 3D VLSI, in which active layers are stacked, has been the focus of attention. In this paper, we propose a method that obtains a 3-D rectilinear Steiner tree that minimizes the total wire length and the radius in 3-D VLSI using genetic algorithms. In this method, we obtain a Euclidian minimum spanning tree for the terminals with 3-D coordinates, and then we obtain the 3-D rectilinear Steiner tree by replacing each pair of terminals in the tree with segments that are parallel to X, Y, or Z-axis. In this paper, we describe the proposed method and the simulation results. |
| キーワード(和) | 遺伝的アルゴリズム / 3次元VLSI / 直線スタイナー木 / スパニング木 |
| キーワード(英) | genetic algorithm / 3-D VLSI / rectilinear Steiner tree / spanning tree |
| 資料番号 | VLD2002-30 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2002/6/20(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 3次元VLSIにおける遺伝的アルゴリズムを用いた直線スタイナー問題 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Rectilinear Steiner Problem Using Genetic Algorithms in 3-D VLSI |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 遺伝的アルゴリズム / genetic algorithm |
| キーワード(2)（和/英） | 3次元VLSI / 3-D VLSI |
| キーワード(3)（和/英） | 直線スタイナー木 / rectilinear Steiner tree |
| キーワード(4)（和/英） | スパニング木 / spanning tree |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 豊原 健一 / Kenichi TOYOHARA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 広島工業大学工学部 Faculty of Engineering, Hiroshima Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 瀬尾 賢治 / Kenji SEO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 広島工業大学工学部 Faculty of Engineering, Hiroshima Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大村 道郎 / Michiroh OHMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 広島工業大学工学部 Faculty of Engineering, Hiroshima Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2002/6/20 |
| 資料番号 | VLD2002-30 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 164 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |