| 講演名 | 1996/5/23 1Mb BiCMOS Cache SRAM 高速センス回路技術の開発 江守 昭彦, 鈴木 州彦, 行武 正剛, 大熊 禎幸, 光本 欽哉, 秋岡 隆志, 岩村 将弘, 秋山 登, |
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| 抄録(和) | 0.5μmプロセスを用いた1Mb BiCMOS Cache SRAMのセンス回路の高速化, 低消費電力化の検討を行った. 疑似6モジュール構成により, 出力ビット数を18ビットと36ビットとをアクセス遅れなしに切替え可能とした. また, 低振幅電流増幅, 及びイコライズ併用ライトリカバリ方式を採用したセンス方式の開発により, 従来のコモンコレクタ方式と比べ, センス系遅延を0.8nsと50%高速化した. これにより4.5nsサイクル動作の1Mb BiCMOS Cache SRAMを得た. |
| 抄録(英) | High-Speed, Low power dissipation sense circuit techniques for a 1Mb BiCMOS Cache SRAM with 0.5μm device design rule are studied. The Quasi-6 modules structure enables to alternate between x18 and x36 within same delay time. And by developing small-signal current-sense amplifier and write-recovery control method which cooparates with equalization, the access time of the sense ciruit is fastened to 0.8ns. This is 50% faster than that of conventional common collector sense amplifier. Appling these techniques, we obtained a 1Mb BiCMOS Cache SRAM which operates at 4.5ns cycle. |
| キーワード(和) | BiCMOS / キャッシュメモリ / SRAM / センスアンプ / モジュール / ライトリカバリ |
| キーワード(英) | BiCMOS / cache memory / SRAM / sense amplifier / module / write-recovery |
| 資料番号 | ICD96-28 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1996/5/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 1Mb BiCMOS Cache SRAM 高速センス回路技術の開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-Speed Sense Circuit Techniques for a 1Mb BiCMOS Cache SRAM |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | BiCMOS / BiCMOS |
| キーワード(2)（和/英） | キャッシュメモリ / cache memory |
| キーワード(3)（和/英） | SRAM / SRAM |
| キーワード(4)（和/英） | センスアンプ / sense amplifier |
| キーワード(5)（和/英） | モジュール / module |
| キーワード(6)（和/英） | ライトリカバリ / write-recovery |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 江守 昭彦 / Akihiko Emori |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株) 日立製作所 日立研究所 Hitachi, Ltd. Hitachi Research Laboratory |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鈴木 州彦 / Kunihiko Suzuki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株) 日立製作所 半導体事業部 Hitachi, Ltd. Semiconductor & Integrated Circuits Dev. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 行武 正剛 / Seigoh Yukutake |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株) 日立製作所 半導体事業部 Hitachi, Ltd. Semiconductor & Integrated Circuits Dev. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大熊 禎幸 / Sadayuki Ookuma |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 デバイス開発センタ Hitachi, Ltd. Device Development Center |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 光本 欽哉 / Kinya Mitumoto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株) 日立製作所 半導体事業部 Hitachi, Ltd. Semiconductor & Integrated Circuits Dev. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 秋岡 隆志 / Takashi Akioka |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株) 日立製作所 半導体事業部 Hitachi, Ltd. Semiconductor & Integrated Circuits Dev. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 岩村 将弘 / Masahiro Iwamura |
| 第 7 著者 所属（和/英） | (株) 日立製作所 日立研究所 Hitachi, Ltd. Hitachi Research Laboratory |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 秋山 登 / Noboru Akiyama |
| 第 8 著者 所属（和/英） | (株) 日立製作所 日立研究所 Hitachi, Ltd. Hitachi Research Laboratory |
| 発表年月日 | 1996/5/23 |
| 資料番号 | ICD96-28 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 64 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |