講演名 | 2004/5/14 39.8-43GHz VCOを内蔵したフルレート動作OC-768対応16:1多重・1:16分離LSI 渡邊 圭紀, 小山 明夫, 會田 辰洋, 吉岡 博之, 山下 寛樹, 伊藤 雅広, 白水 信弘, 中村 宝弘, 千葉 博之, |
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抄録(和) | 遮断周波数f_T=140GHzの0.18μm SiGe BiCMOSプロセスを用いて、OC-768システム対応、OIFのSFI-5規格に準拠した、39.8-43Gb/s動作の16:1多重(マルチプレクサ)および1:16分離(デマルチプレクサ)LSIチップセットを開発した。本LSIは39.8-43GHzクロックを発生するVCOを内蔵したフルレートクロック動作を特徴とし、低出力ジッタと高受信感度を実現した。マルチプレクサの出力ジッタは630fs-rms、デマルチプレクサの入力感度は31mVp-p (単相入力)でBER<10^<-12>を達成している。チップセットの消費電力は11.6Wである。 |
抄録(英) | A fully integrated 39.8 to 43Gb/s OC-768 16:1 Multiplexer (MUX) / Demultiplexer (DEMUX) chipset is implemented in a 0.1 Sum BiCMOS process. Full-rate operation is realized with on-chip VCO. The measured output jitter of packaged MUX is 630fs-rms and the sensitivity of DEMUX is 31mVpp single-ended with a BER < 10^<-12>. The chipset dissipates 11.6W. |
キーワード(和) | マルチプレクサ / デマルチプレクサ / 39.8-43Gb/s / フルレート動作 / SiGe BiCMOS |
キーワード(英) | Multiplexer / Demuliplexer / 39.8-43Gb/s / Full-Rate architecture / SiGe BiCMOS |
資料番号 | ICD2004-35 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ICD |
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開催期間 | 2004/5/14(から1日開催) |
開催地(和) | |
開催地(英) | |
テーマ(和) | |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 39.8-43GHz VCOを内蔵したフルレート動作OC-768対応16:1多重・1:16分離LSI |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Full-Rate architecture 16:1 Multiplexer and 1:16 Demultiplexer with integrated 39.8 to 43GHz VCO for OC-768 communication systems |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | マルチプレクサ / Multiplexer |
キーワード(2)(和/英) | デマルチプレクサ / Demuliplexer |
キーワード(3)(和/英) | 39.8-43Gb/s / 39.8-43Gb/s |
キーワード(4)(和/英) | フルレート動作 / Full-Rate architecture |
キーワード(5)(和/英) | SiGe BiCMOS / SiGe BiCMOS |
第 1 著者 氏名(和/英) | 渡邊 圭紀 / Keiki WATANABE |
第 1 著者 所属(和/英) | (株)日立製作所マイクロデバイス事業部 Micro Device Division, Hitachi, Ltd. |
第 2 著者 氏名(和/英) | 小山 明夫 / Akio KOYAMA |
第 2 著者 所属(和/英) | (株)日立製作所マイクロデバイス事業部 Micro Device Division, Hitachi, Ltd. |
第 3 著者 氏名(和/英) | 會田 辰洋 / Tatsuhiro AIDA |
第 3 著者 所属(和/英) | (株)日立製作所マイクロデバイス事業部 Micro Device Division, Hitachi, Ltd. |
第 4 著者 氏名(和/英) | 吉岡 博之 / Hiroyuki YOSHIOKA |
第 4 著者 所属(和/英) | (株)日立製作所マイクロデバイス事業部 Micro Device Division, Hitachi, Ltd. |
第 5 著者 氏名(和/英) | 山下 寛樹 / Hiroki YAMASHITA |
第 5 著者 所属(和/英) | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
第 6 著者 氏名(和/英) | 伊藤 雅広 / Masahiro ITO |
第 6 著者 所属(和/英) | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
第 7 著者 氏名(和/英) | 白水 信弘 / Nobuhiro SHIRAMIZU |
第 7 著者 所属(和/英) | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
第 8 著者 氏名(和/英) | 中村 宝弘 / Takahiro NAKAMURA |
第 8 著者 所属(和/英) | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
第 9 著者 氏名(和/英) | 千葉 博之 / Hiroyuki CHIBA |
第 9 著者 所属(和/英) | (株)日立超LSIシステムズ Hitachi ULSI Systems Co., Ltd. |
発表年月日 | 2004/5/14 |
資料番号 | ICD2004-35 |
巻番号(vol) | vol.104 |
号番号(no) | 67 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |