| 講演名 | 2004/5/13 MOSの閾値及び飽和電流を一定にする基板バイアス生成回路を用いたミックスボディバイアス技術 : サブ1VCMOSの課題の克服(VLSI一般 : ISSCC2004特集) 炭田 昌哉, 崎山 史朗, 木下 雅善, 荒木 裕太, 池田 雄一郎, 福岡 耕平, |
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| 抄録(和) | 1V以下のCMOSにおいて,トランジスタのばらつきの改善が要求されている.我々は,温度範囲,プロセスばらつきに関わらず,PMOS・NMOSの飽和電流と閾値を一定にする基板生成回路をもちいたミックスボディバイアス技術を提案する.そのチップは,130nmCMOSプロセスで試作された.そのミックスボディバイアス技術は,レジスタファイルで,通常の基板バイアス時の遅延の負温度特性を正の傾きに改善し,通常の基板バイアス時と比較して,85%の遅延ばらつき改善効果が得られた.また,SRAMでは,その基板技術を用いることで,通常の基板バイアス時と比較して75%の電力削減が行われた. |
| 抄録(英) | Sub 1 V CMOS VLSIs are required of improving the variation of transistor. In this paper, we propose the mixed body bias techniques with body bias generation circuits in which either Ids or VT of MOS become always fixed, regardless the range of temperature and process variation. The test chip is fabricated in 130nm CMOS process. The mixed body bias techniques result in positive temperature dependence of the delay, and 85% reduction of the delay variation compared with normal body bias in register file. In addition, the results using the techniques show 75% improvement of power consumption compared with NBB in SRAM. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Body bias / fluctuation control / forward bias / leakage power / low-voltage operation / operating margin / threshold voltage / SRAM / Register-file |
| 資料番号 | ICD2004-20 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2004/5/13(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOSの閾値及び飽和電流を一定にする基板バイアス生成回路を用いたミックスボディバイアス技術 : サブ1VCMOSの課題の克服(VLSI一般 : ISSCC2004特集) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Mixed Body Bias Techniques with Fixed VT and Ids Generation Circuits : for reducing impacts of sub IV CMOS VLSIs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Body bias |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 炭田 昌哉 / Masaya Sumita |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社半導体社 Semiconductor Company Matsushita Electric Industrial Co., LTD |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 崎山 史朗 / Shiro Sakiyama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社半導体社 Semiconductor Company Matsushita Electric Industrial Co., LTD |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 木下 雅善 / Masayoshi Kinoshita |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社半導体社 Semiconductor Company Matsushita Electric Industrial Co., LTD |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 荒木 裕太 / Yuta Araki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社半導体社 Semiconductor Company Matsushita Electric Industrial Co., LTD |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 池田 雄一郎 / Yuuichiro Ikeda |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社半導体社 Semiconductor Company Matsushita Electric Industrial Co., LTD |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 福岡 耕平 / Kouhei Fukuoka |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社半導体社 Semiconductor Company Matsushita Electric Industrial Co., LTD |
| 発表年月日 | 2004/5/13 |
| 資料番号 | ICD2004-20 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 66 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |