講演名 | 2004/5/13 高集積・低電力を実現した90nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI一般 : ISSCC2004特集) 新居 浩二, 塚本 康正, 吉澤 知晃, 今岡 進, 牧野 博之, |
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抄録(和) | 90nmテクノロジを用いた高密度デュアルポートSRAMを開発した。メモリセルサイズは2.04um^2で、既発表の中では世界最小サイズを実現した。また、メモリセルアレイのGND線電位を列方向に動的に制御する方式を提案し、待機時電流を約1/10と1桁低減した。さらに、単位周波数あたりの動作電力も約1/3に低減できる。 |
抄録(英) | We investigated a high-density dual-port SRAM (DP-SRAM) in 90 nm CMOS technology. The proposed DP-SRAM has 2.04 um^2 cell size, which is the smallest ever reported. In addition, we propose Dynamically-controlled Column Bias Scheme, which reduces the active power by 64% and the stand-by current by 93%. |
キーワード(和) | SRAM / 低消費電力 / デュアルポート / 2ポート / スタンバイ / SOC |
キーワード(英) | SRAM / Low power / Dual-Port / Two-Port / Stand-by / SoC |
資料番号 | ICD2004-13 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ICD |
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開催期間 | 2004/5/13(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 高集積・低電力を実現した90nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI一般 : ISSCC2004特集) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | A 90 nm Dual-Port SRAM with 2.04um^2 8T-Thin Cell using Dynamically-controlled Column Bias Scheme |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | SRAM / SRAM |
キーワード(2)(和/英) | 低消費電力 / Low power |
キーワード(3)(和/英) | デュアルポート / Dual-Port |
キーワード(4)(和/英) | 2ポート / Two-Port |
キーワード(5)(和/英) | スタンバイ / Stand-by |
キーワード(6)(和/英) | SOC / SoC |
第 1 著者 氏名(和/英) | 新居 浩二 / Koji Nii |
第 1 著者 所属(和/英) | ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
第 2 著者 氏名(和/英) | 塚本 康正 / Yasumasa Tsukamoto |
第 2 著者 所属(和/英) | ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
第 3 著者 氏名(和/英) | 吉澤 知晃 / Tomoaki Yoshizawa |
第 3 著者 所属(和/英) | ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
第 4 著者 氏名(和/英) | 今岡 進 / Susumu Imaoka |
第 4 著者 所属(和/英) | ルネサスデバイスデザイン Renesas Device Design Corp. |
第 5 著者 氏名(和/英) | 牧野 博之 / Hiroshi Makino |
第 5 著者 所属(和/英) | ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
発表年月日 | 2004/5/13 |
資料番号 | ICD2004-13 |
巻番号(vol) | vol.104 |
号番号(no) | 66 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |