| 講演名 | 2004/4/16 固体電解質を用いたナノスイッチ(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般) 阪本 利司, 帰山 隼一, 砂村 潤, 水野 正之, 川浦 久雄, 長谷川 剛, 中山 知信, 寺部 一弥, 青野 正和, |
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| 抄録(和) | 固体電解質は金属イオンがその中を自由に動くことで知られている。本固体電解質を2種類の金属で挟んだ2端子素子はスイッチとして機能し、ある値以上の電圧を印加することで、電子伝導度が数桁にわたり変化する。各伝導状態はほぼ不揮発的に保たれるため、メモリ等のエレクトロニクス応用が期待される。本報告では、硫化銅を用いた固体電解質ナノスイッチの詳細な電気特性評価を行うと共に、そのスイッチング機構を明らかにする。さらに、本固体電解質ナノスイッチを用いた1Kbit不揮発性メモリのテストチップについて述べる。 |
| 抄録(英) | We describe a nanometer-scale nonvolatile switch that uses a solid electrolyte, where metal ions are mobile. The switch is composed of the solid-electrolyte (Cu_2S) sandwiched by two metals. Applying a positive or negative voltage to the metal can repeatedly switch its conductance. Each state can persist without a power supply for months, demonstrating the feasibility of non-volatile memory with its nanometer scale. We also fabricate 1kbit non volatile memory. |
| キーワード(和) | 固体電解質 / ナノデバイス / 電気化学反応 / 不揮発性メモリ |
| キーワード(英) | solid electrolyte / nano device / electrochemical reaction / nonvolatile memory |
| 資料番号 | ICD2004-11 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2004/4/16(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 固体電解質を用いたナノスイッチ(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Nanometer switch using solid electrolyte |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 固体電解質 / solid electrolyte |
| キーワード(2)（和/英） | ナノデバイス / nano device |
| キーワード(3)（和/英） | 電気化学反応 / electrochemical reaction |
| キーワード(4)（和/英） | 不揮発性メモリ / nonvolatile memory |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 阪本 利司 / Toshitsugu SAKAMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC基礎・環境研究所:科学技術振興機構 Fundamental & Environmental Research Labs., NEC Corp.:Japan Science and Technology Agency |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 帰山 隼一 / Shunichi KAERIYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NECシステムデバイス研究所 System Device Labs., NEC Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 砂村 潤 / Hiroshi SUNAMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC基礎・環境研究所:科学技術振興機構 Fundamental & Environmental Research Labs., NEC Corp.:Japan Science and Technology Agency |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 水野 正之 / Masayuki MIZUNO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NECシステムデバイス研究所 System Device Labs., NEC Corp. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 川浦 久雄 / Hisao KAWAURA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NEC基礎・環境研究所:科学技術振興機構 Fundamental & Environmental Research Labs., NEC Corp.:Japan Science and Technology Agency |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 長谷川 剛 / Tsuyoshi HASEGAWA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構:化学技術振興機構 National Institute for Material Science:Japan Science and Technology Agency |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 中山 知信 / Tomonobu NAKAYAMA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構:化学技術振興機構 National Institute for Material Science:Japan Science and Technology Agency |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 寺部 一弥 / Kazuya TERABE |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構:化学技術振興機構 National Institute for Material Science:Japan Science and Technology Agency |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 青野 正和 / Masakazu AONO |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 物質・材料研究機構:化学技術振興機構 National Institute for Material Science:Japan Science and Technology Agency |
| 発表年月日 | 2004/4/16 |
| 資料番号 | ICD2004-11 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 24 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |