講演名 2004/4/16
MRAMの開発の現状と将来性(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
杉林 直彦, 田原 修一, 土田 賢二, 與田 博明,
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抄録(和) 将来のユビキタスシステムでは、不揮発性メモリの性能が、システム性能に大きな影響を与えると考えられている。そのため、不揮発性メモリの高性能化をめざし、シリコン以外の材料を使ったFeRAM、MRAM、PRAM、REAM等の不揮発性メモリが数多く提案されている。それらの中でMRAMは、原理的に、低電圧動作が可能で、動作温度範囲が広く、書換え耐性が無限大であるという特徴を持っている。MRAM回路の特徴を他の新メモリ技術と比較した上で、MRAM開発の現状を紹介し、将来性について議論する。
抄録(英) In future ubiquitous systems, it is prospected that the performance of the nonvolatile memory has a big influence on the performance of a ubiquitous system. Therefore, to attain the superior performance of the nonvolatile memory, many nonvolatile memories of FeRAM, MRAM, PRAM, RRAM, which use material except the silicon, are proposed. Theoretically, MRAM has the characteristics of infinite rewriting tolerance, low operating voltage and wide operational temperature ange. After comparing the characteristic of the MRAM circuitry with that of the other new memory technologies, the recent situation of the MRAM developments is introduced and a future for MRAM is discussed.
キーワード(和) MRAM / 不揮発性メモリ
キーワード(英) MRAM / Nonvolatile memory
資料番号 ICD2004-10
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2004/4/16(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) MRAMの開発の現状と将来性(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Recent Developments and Future for MRAM
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) MRAM / MRAM
キーワード(2)(和/英) 不揮発性メモリ / Nonvolatile memory
第 1 著者 氏名(和/英) 杉林 直彦 / Tadahiko SUGIBAYASHI
第 1 著者 所属(和/英) 日本電気株式会社システムデバイス研究所
第 2 著者 氏名(和/英) 田原 修一 / Shuichi TAHARA
第 2 著者 所属(和/英) 日本電気株式会社システムデバイス研究所
第 3 著者 氏名(和/英) 土田 賢二 / Kenji TSUCHIDA
第 3 著者 所属(和/英) 株式会社東芝研究開発センター
第 4 著者 氏名(和/英) 與田 博明 / Hiroaki YODA
第 4 著者 所属(和/英) 株式会社東芝研究開発センター
発表年月日 2004/4/16
資料番号 ICD2004-10
巻番号(vol) vol.104
号番号(no) 24
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日