| 講演名 | 2003/12/12 強誘電体メモリを利用した不揮発性SRAMとFFの設計と応用 : 読出し回数・書換え回数無制限の実現(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ)) 二野宮 鼓, 桝井 昇一, 大浦 道也, 向田 健二, 寺本 俊幸, |
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| 抄録(和) | 我々は、SRAMセルの相補記憶ノートに強誘電体キャパシタを2個ずつ付加した不揮発性SRAMセルを提唱している。このセルは、電源投入時に強誘電体キャパシタからSRAMセル部ヘデータを安定して復元できる。しかし以前報告した制御手法では、SRAMセル部と強誘電体キャパシタを同時に書換えていたため、強誘電体の疲労特性から書換え回数に制限があった。今回、揮発性の書換えと不揮発性の書換えを分離し、さらに揮発性の書換え時に強誘電体キャパシタが分極反転しない制御手法を開発した。これにより書換え回数の制限を無くすことができた。開発した回路技術をもとに、長距離通信用RFIDタグLSIに応用できる低消費電力の不揮発性FFを実現した。 |
| 抄録(英) | Circuit techniques to realize unlimited program cycle operation in ferroelectric nonvolatile (NV) SRAM have been developed. NV-SRAM cell with six transistors and four capacitors enables stable data recall, which regenerates SRAM data from ferroelectric capacitors right after the power-on. However, the maximum program cycle of the previously presented NV-SRAM is restricted by the material worn-out (fatigue) caused by the polarization change. The developed operation scheme separates the conventional program operation into volatile write operation without polarization change and nonvolatile store operation with polarization change. The developed circuit principle is extended to implement a low-power nonvolatile flip-flop applicable to long communication range radio frequency identification tag LSIs. |
| キーワード(和) | 強誘電体メモリ / 不揮発性メモリ / 不揮発性FF / RFID |
| キーワード(英) | Ferroelectric Random Access Memory / Nonvolatile Memory / Nonvolatile flip-flop / RFID |
| 資料番号 | ICD2003-200(2003-12) |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2003/12/12(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 強誘電体メモリを利用した不揮発性SRAMとFFの設計と応用 : 読出し回数・書換え回数無制限の実現(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Design and Applications of Ferroelectric Nonvolatile SRAM and Flip-Flop : With Unlimited Read/Program Cycles |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 強誘電体メモリ / Ferroelectric Random Access Memory |
| キーワード(2)（和/英） | 不揮発性メモリ / Nonvolatile Memory |
| キーワード(3)（和/英） | 不揮発性FF / Nonvolatile flip-flop |
| キーワード(4)（和/英） | RFID / RFID |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 二野宮 鼓 / Tsuzumi NINOMIYA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士通(株)FRAM事業部 Fujitsu LTD. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 桝井 昇一 / Shoichi MASUI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所 Fujitsu Laboratories LTD. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大浦 道也 / Michiya OURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富士通(株)第一システムLSI事業部 Fujitsu LTD. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 向田 健二 / Kenji MUKAIDA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富士通(株)FRAM事業部 Fujitsu LTD. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 寺本 俊幸 / Toshiyuki TERAMOTO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富士通(株)FRAM事業部 Fujitsu LTD. |
| 発表年月日 | 2003/12/12 |
| 資料番号 | ICD2003-200(2003-12) |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 510 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |