講演名 | 2003/9/5 Poly-Siゲート仕事関数差を用いたCMOS基準電圧源回路(アナログ・デジアナ・センサ,通信用LSI) 渡辺 博文, 安藤 俊輔, 青田 秀幸, 大仁 正則, 全 容震, 谷口 研二, |
---|---|
PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
抄録(和) | 2組のペアトランジスタで構成した高精度なCMOS基準電圧源回路を提案した。ペアトランジスタの1組はn~++ゲートMOSFETとp^+ゲートMOSFETからなり,2つのMOSFETのゲート電極の仕事関数差V_ |
抄録(英) | A new CMOS voltage reference circuit consisting of two pairs of transistors is presented. One pair exhibits a threshold voltage difference with a negative temperature coefficient (-0.49 mV/℃), while the other exhibits a positive temperature coefficient (+0.17 mV/℃). The circuit was robust to process variations, exhibited excellent temperature independence and stable output voltage. Aside from conductivity type and impurity concentrations of gate electrodes, transistors in the pairs were identical, meaning that the system was robust with respect to process fluctuations. Measurements of the voltage reference circuit without trimming adjustments revealed that it had excellent output voltage reproducibility, low temperature coefficient and low current consumption. |
キーワード(和) | 基準電圧 / 仕事関数 |
キーワード(英) | Voltage reference / Work Function |
資料番号 | ICD2003-95 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ICD |
---|---|
開催期間 | 2003/9/5(から1日開催) |
開催地(和) | |
開催地(英) | |
テーマ(和) | |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | |
委員長氏名(英) | |
副委員長氏名(和) | |
副委員長氏名(英) | |
幹事氏名(和) | |
幹事氏名(英) | |
幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
---|---|
本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | Poly-Siゲート仕事関数差を用いたCMOS基準電圧源回路(アナログ・デジアナ・センサ,通信用LSI) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | CMOS Voltage Reference based on Gate Work Function Differences in Poly-Si controlled by Conductivity Type and Impurity Concentration |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 基準電圧 / Voltage reference |
キーワード(2)(和/英) | 仕事関数 / Work Function |
第 1 著者 氏名(和/英) | 渡辺 博文 / H. Watanabe |
第 1 著者 所属(和/英) | (株)リコー Electronic Devices Company, Ricoh Co. Ltd. |
第 2 著者 氏名(和/英) | 安藤 俊輔 / S. Ando |
第 2 著者 所属(和/英) | (株)リコー Electronic Devices Company, Ricoh Co. Ltd. |
第 3 著者 氏名(和/英) | 青田 秀幸 / H. Aota |
第 3 著者 所属(和/英) | (株)リコー Electronic Devices Company, Ricoh Co. Ltd. |
第 4 著者 氏名(和/英) | 大仁 正則 / M. Dainin |
第 4 著者 所属(和/英) | (株)リコー Electronic Devices Company, Ricoh Co. Ltd. |
第 5 著者 氏名(和/英) | 全 容震 / Y. J. Chun |
第 5 著者 所属(和/英) | (株)リコー Electronic Devices Company, Ricoh Co. Ltd. |
第 6 著者 氏名(和/英) | 谷口 研二 / K. Taniguchi |
第 6 著者 所属(和/英) | 大阪大学大学院工学研究科 Faculty of Engineering, Osaka University |
発表年月日 | 2003/9/5 |
資料番号 | ICD2003-95 |
巻番号(vol) | vol.103 |
号番号(no) | 299 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |