講演名 | 2003/9/5 弱反転領域を利用したCMOS基準電圧発生回路の検討(アナログ・デジアナ・センサ,通信用LSI) 蒲谷 晃則, 杉本 泰博, |
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抄録(和) | 本論文では,CMOSプロセスにより,省電力特性の新しい基準電圧発生回路を設計し,試作,評価を行った結果を報告した.スイッチング電源用の1V以下の出力を持つ低電圧基準電圧源を実現するのが目的である.本回路は,MOSトランジスタの弱反転領域での特性がバイポーラトランジスタの特性と類似していることを利用し,温度に依存しない電圧を出力する.試作した0.6μmチップの測定の結果,電源電圧3.6V, 出力電圧0.99Vにおいて,0℃から75℃の温度範囲の出力電圧変動率が約0.38%に収まることを確認した.この結果MOSトランジスタの弱反転領域での特性を明らかとすることが出来た. |
抄録(英) | In this paper, design and evaluation results of a low-power voltage reference circuit with 1.0V output voltage by using a conventional CMOS process are reported. The objective of this study is to realize a voltage reference circuit with less than 1V of the output voltage for switching power supplies such as DC-DC converters. The circuit utilizes a MOS transistors in weakly inverted region, whose characteristic resembles to the one of a bipolar transistor, in order to obtain 1.0V stable output voltage that is independent of temperature. An actual chip was designed, fabricated, and evaluated by using a 0.6μm CMOS process. The evaluation result shows less than 0.38 % of output voltage variation when it is chosen 1.0V and the temperature changes from 0 ℃ to 75 ℃. The supply voltage for the entire circuit was 3.6V. The result demonstrates the effectiveness of using weakly inverted transistors in a voltage reference circuit. |
キーワード(和) | CMOS / 基準電圧 / 弱反転領域 |
キーワード(英) | CMOS / Voltage reference / Weak inversion region |
資料番号 | ICD2003-94 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ICD |
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開催期間 | 2003/9/5(から1日開催) |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 弱反転領域を利用したCMOS基準電圧発生回路の検討(アナログ・デジアナ・センサ,通信用LSI) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | A study of a voltage reference circuit by using weakly inverted CMOS transistors |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | CMOS / CMOS |
キーワード(2)(和/英) | 基準電圧 / Voltage reference |
キーワード(3)(和/英) | 弱反転領域 / Weak inversion region |
第 1 著者 氏名(和/英) | 蒲谷 晃則 / Akinori KABAYA |
第 1 著者 所属(和/英) | 中央大学理工学研究科電気電子情報通信工学専攻 Faculty of Science and Engineering, Chuo University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 杉本 泰博 / Yasuhiro SUGIMOTO |
第 2 著者 所属(和/英) | 中央大学理工学研究科電気電子情報通信工学専攻 Faculty of Science and Engineering, Chuo University |
発表年月日 | 2003/9/5 |
資料番号 | ICD2003-94 |
巻番号(vol) | vol.103 |
号番号(no) | 299 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |