| 講演名 | 2003/8/15 [パネルディスカッション]デバイス・回路技術者協議 : ゲートリーク問題は誰が解くか?(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力)) [記載なし], |
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| 抄録(和) | ゲート酸化膜の薄膜化に伴うゲートリーク電流の増大が大きな問題になっている。このゲートリーク問題は、いつ、どの程度の問題になり、誰が解くべきかを回路技術者とデバイス技術者とで議論する。 |
| 抄録(英) | Increase in gate leakage current is considered as one of the crucial problem for near-future LSIs. Circuit designers and device engineers will clarify when and in what degree this problem would impact the development of LSI and discuss who and how it should be solved. |
| キーワード(和) | 消費電力 / スタンバイパワー / ゲート電流 / high-kゲート絶縁膜 |
| キーワード(英) | power consumption / standby power / gate leakage current / high-k gate dielectrics |
| 資料番号 | SDM2003-146,ICD2003-79 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2003/8/15(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | [パネルディスカッション]デバイス・回路技術者協議 : ゲートリーク問題は誰が解くか?(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Who should solve the problem of gate leakage current? : Discussion between circuit designer and device engineer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 消費電力 / power consumption |
| キーワード(2)（和/英） | スタンバイパワー / standby power |
| キーワード(3)（和/英） | ゲート電流 / gate leakage current |
| キーワード(4)（和/英） | high-kゲート絶縁膜 / high-k gate dielectrics |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | [記載なし] |
| 第 1 著者 所属（和/英） | |
| 発表年月日 | 2003/8/15 |
| 資料番号 | SDM2003-146,ICD2003-79 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 262 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 69 |
| 発行日 | |