| 講演名 | 2003/8/15 [特別招待論文]微細MOSトランジスタの開発動向と課題(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力)) 杉井 寿博, |
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| 抄録(和) | MOSトランジスタの動向や課題をまとめ,現状の性能や今後に向けて検討中の結果を紹介する。90-65nmノードに向けては、従来の材料の改良と細心の注意を払ってスケーリングを行なうことで、期待される高集積化と高性能化を実現できる。しかし、65-45nmノード以降では加工ばらつきの増大や微細ホール形成の難しさなどにより高集積化が難しくなることに加え、高性能化に関してもスケーリングに頼るだけでなく高誘電率ゲート絶縁膜や歪Siなどの新しい材料、効果による性能向上が必要になる。新技術による高性能化の必要性の度合いがアプリケーションによって異なるため、従来の高集積化と高性能化の両方が得られたスケーリングによる世代交代と違って、各種新技術を有したトランジスタが市場に出る時期はアプリケーションに左右されていく。 |
| 抄録(英) | This paper reviewed recent trends of MOSFET scaling. To keep up with the trends, there are many device and process issues to be developed, which are categorized in this paper. The state of the art transistor for the 90 nm node, which has overcome most of the issues, is introduced. For the 65 nm node and beyond, an introduction of new materials such as a high-k gate insulator and a metal gate will be necessary to continue performance improvement. |
| キーワード(和) | MOSトランジスタ / スケーリング / ロードマップ |
| キーワード(英) | MOSFET / Trend / Scaling |
| 資料番号 | SDM2003-142,ICD2003-75 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2003/8/15(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | [特別招待論文]微細MOSトランジスタの開発動向と課題(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Review of Recent Trend and Development of MOS Transistors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSトランジスタ / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | スケーリング / Trend |
| キーワード(3)（和/英） | ロードマップ / Scaling |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 杉井 寿博 / Toshihiro SUGII |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士通(株) FUJITSU LIMITED |
| 発表年月日 | 2003/8/15 |
| 資料番号 | SDM2003-142,ICD2003-75 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 262 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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