| 講演名 | 2003/8/15 SOI上に形成した混載DRAM用メモリセル : FBC(Floating Body Cell)(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力)) 南 良博, 井納 和美, 篠 智彰, 山田 浩玲, 中島 博臣, 山田 敬, 大澤 隆, 東 知輝, 藤田 勝之, 池橋 民雄, 梶山 健, 福住 嘉晃, 浜本 毅司, 石内 秀美, |
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| 抄録(和) | SOI上にFBC(Floating Body Cell)とよぶ0.175μmメモリセルを試作し動作を確認した.FBCは1トランジスタのゲインセルで,SOI上の混載DRAM用メモリとして適している.今回,96kbit ADM(Array Diagnostic Monitor)で99.77%のファンクション・イールドを得た.また,電荷保持時間は85℃において500msecであった. |
| 抄録(英) | The memory cell characteristics of the FBC (Floating Body Cell) have been experimentally verified by 0.175 μm cell array for the first time. The FBC is a one-transistor gain cell, which is a suitable structure for the future embedded DRAM on SOI wafer. 99.77% function bit yield of 96Kbit ADM(Array Diagnostic Monitor) has been obtained, and the retention time of 500msec have been realized at 85℃. |
| キーワード(和) | FBC / SOI / 混載 / メモリ / DRAM |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | SDM2003-136,ICD2003-69 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2003/8/15(から1日開催) |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SOI上に形成した混載DRAM用メモリセル : FBC(Floating Body Cell)(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Memory cell for Embeded DRAM on SOI : FBC(Floating Body Cell) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | FBC |
| キーワード(2)（和/英） | SOI |
| キーワード(3)（和/英） | 混載 |
| キーワード(4)（和/英） | メモリ |
| キーワード(5)（和/英） | DRAM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 南 良博 / Yoshihiro MINAMI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. Semiconductor Company |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 井納 和美 / Kazumi INOH |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. Semiconductor Company |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 篠 智彰 / Tomoaki SHINO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. Semiconductor Company |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山田 浩玲 / Hiroaki YAMADA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. Semiconductor Company |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中島 博臣 / Hiroomi NAKAJIMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. Semiconductor Company |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 山田 敬 / Takashi YAMADA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. Semiconductor Company |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 大澤 隆 / Takashi OHSAWA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. Semiconductor Company |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 東 知輝 / Tomoki HIGASHI |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 東芝マイクロエレクトロニクス(株) Design Solution Division,Toshiba Microelectronics Corp. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 藤田 勝之 / Katsuyuki FUJITA |
| 第 9 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. Semiconductor Company |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 池橋 民雄 / Tamio IKEHASHI |
| 第 10 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. Semiconductor Company |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 梶山 健 / Takeshi KAJIYAMA |
| 第 11 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. Semiconductor Company |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 福住 嘉晃 / Yoshiaki FUKUZUMI |
| 第 12 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. Semiconductor Company |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 浜本 毅司 / Takeshi HAMAMOTO |
| 第 13 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. Semiconductor Company |
| 第 14 著者 氏名（和/英） | 石内 秀美 / Hidemi ISHIUCHI |
| 第 14 著者 所属（和/英） | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター SoC Research and Development Center, Toshiba Corp. Semiconductor Company |
| 発表年月日 | 2003/8/15 |
| 資料番号 | SDM2003-136,ICD2003-69 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 262 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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