講演名 | 2003/8/15 SFI-5向け低電力データリカバリー回路方式の開発(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力)) 山下 寛樹, 斉藤 達也, 結城 文夫, 小山 明夫, 曽根原 理仁, |
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抄録(和) | SFI-5インターフェース向けに、2.5Gb/s/chで動作し、フルデジタル制御によってデータeyeに追随するデータリカバリー回路(DR)を開発した. 0.18μm SiGe-BiCMOSデバイスを用いて試作した結果、面積で0.02mm^2/ch、電力で50mmW/ch(@電源電圧:1.8v)を実現できた。ジッタ耐性についても、 2.5Gb/s×16chで0.7UIp-pを達成し、SFI-5インタフェース規格を満足できた。 |
抄録(英) | We developed a 2.5-Gb/s/ch digital data recovery (DR) circuit for the SFI-5 interface. Our unique approach of treating a sequential 16-bit incoming data as one unit achieved a fully digital "eye-tracking" DR circuit. Fabricated by 0.18-um SiGe-BiCMOS technology, the area of the DR circuit is 0.02-mm^2/ch and its power consumption is 50 mW/ch at 1.8 V. The measured jitter tolerance at 2.5 Gb/s is 0.7 UI p-p, which satisfies the jitter specifications for the SFI-5. |
キーワード(和) | SFI-5 / DR / インタフェース / ジッタ / デジタル / SiGe-BiCMOS |
キーワード(英) | SFI-5 / DR / Interface / Jitter / Digital / SiGe-BiCMOS |
資料番号 | SDM2003-133,ICD2003-66 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ICD |
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開催期間 | 2003/8/15(から1日開催) |
開催地(和) | |
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テーマ(英) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | SFI-5向け低電力データリカバリー回路方式の開発(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力)) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Development of Low Power Data Recovery Circuit for SFI-5 Interface |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | SFI-5 / SFI-5 |
キーワード(2)(和/英) | DR / DR |
キーワード(3)(和/英) | インタフェース / Interface |
キーワード(4)(和/英) | ジッタ / Jitter |
キーワード(5)(和/英) | デジタル / Digital |
キーワード(6)(和/英) | SiGe-BiCMOS / SiGe-BiCMOS |
第 1 著者 氏名(和/英) | 山下 寛樹 / Hiroki YAMASHITA |
第 1 著者 所属(和/英) | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi Ltd |
第 2 著者 氏名(和/英) | 斉藤 達也 / Tatsuya SAITOH |
第 2 著者 所属(和/英) | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi Ltd |
第 3 著者 氏名(和/英) | 結城 文夫 / Fumio YUUKI |
第 3 著者 所属(和/英) | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi Ltd |
第 4 著者 氏名(和/英) | 小山 明夫 / Akio KOYAMA |
第 4 著者 所属(和/英) | (株)日立製作所デバイス開発センタ Device Development Center, Hitachi Ltd |
第 5 著者 氏名(和/英) | 曽根原 理仁 / Masahito SONEHARA |
第 5 著者 所属(和/英) | (株)日立製作所デバイス開発センタ Device Development Center, Hitachi Ltd |
発表年月日 | 2003/8/15 |
資料番号 | SDM2003-133,ICD2003-66 |
巻番号(vol) | vol.103 |
号番号(no) | 262 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |