| 講演名 | 2003/8/14 耐電力21.5dBm・5GHz送受信切替CMOSスイッチ(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力)) 大中道 崇浩, 山川 聡, 大森 達夫, |
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| 抄録(和) | 本報告では、高耐電力21.5dBmを実現した5GHz送受信切替CMOSスイッチについて報告する。高実効基板抵抗を有するDepletion-layer-Extended Transistor (DET)を適用することにより,CMOSにおいてトランジスタの2段化による電圧分割効果を実現し、高耐電力化を可能にした。また、トランジスタ2段化の副作用である受信側挿入損失劣化についても,DETにおける接合容量低減および実効基板抵抗増大という挿入損失改善効果により、5GHzにおいて、受信側1.44dB、送信側0.95dBという低挿入損失を実現した。 |
| 抄録(英) | A 21.5dBm power-handling 5GHz transmit/receive CMOS switch is reported. The Depletion-layer-Extended Transistor (DET), which possesses high effective substrate resistance, enables the voltage division effect of the stacked transistor configuration to work in the CMOS switch, thus realizing this high power-handling capability. Furthermore, despite insertion loss degradation due to double on-resistance with the stacked transistor configuration, a receive-mode insertion loss of as low as 1.44dB at 5GHz is accomplished with the benefit of the insertion loss improvement effects of the DET, in addition to a very low transmit-mode insertion loss of 0.95dB at 5GHz. |
| キーワード(和) | 送受信切替スイッチ / CMOS / RF-CMOS / 耐電力 / 挿入損失 / 5GHz |
| キーワード(英) | Transmit-Receive Switch / CMOS / RF-CMOS / Power-Handling Capability / Insertion Loss / 5GHz |
| 資料番号 | SDM2003-131,ICD2003-64 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2003/8/14(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 耐電力21.5dBm・5GHz送受信切替CMOSスイッチ(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 21.5dBm Power-Handling, 5GHz Transmit/Receive CMOS Switch |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 送受信切替スイッチ / Transmit-Receive Switch |
| キーワード(2)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(3)（和/英） | RF-CMOS / RF-CMOS |
| キーワード(4)（和/英） | 耐電力 / Power-Handling Capability |
| キーワード(5)（和/英） | 挿入損失 / Insertion Loss |
| キーワード(6)（和/英） | 5GHz / 5GHz |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大中道 崇浩 / Takahiro OHNAKADO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社先端技術総合研究所 Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山川 聡 / Satoshi YAMAKAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社先端技術総合研究所 Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大森 達夫 / Tatsuo OOMORI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社先端技術総合研究所 Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2003/8/14 |
| 資料番号 | SDM2003-131,ICD2003-64 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 261 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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