| 講演名 | 2003/8/14 (110)面高性能ひずみSOI-CMOS素子技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力)) 水野 智久, 杉山 直治, 手塚 勉, 守山 佳彦, 中払 周, 高木 信一, |
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| 抄録(和) | (110)面のn及びpチャネル歪SOI素子を初めて開発し,電子及び正孔移動度の向上を実証した.電子及び正孔移動度の向上率は電流方向に強く依存し,それぞれ<001>及び<110>方向で最大になり,(110)無ひずみ素子と比較して,23%及び50%に達した.その結果,(110)面の欠点である低電子移動度を(100)面の移動度の81%まで改善し,また正孔移動度は(100)面ひずみSOI素子より更に50%の向上を達成した.従って,(110)歪SOI構造は高速CMOSの候補となり得ることがわかった. |
| 抄録(英) | We have developed (110) strained-SOI n- and p-MOSFETs on (110) relaxed-SGOI with the Ge content of 25% for higher performance, applying the Ge condensation technique to SiGe layers on (110) SOI wafers. We have demonstrated, for the first time, that the electron and the hole mobility enhancements of (110) strained-SOI devices amount to 23% and 50%, respectively, against to the carrier mobilities of (110) unstrained MOSFETs. The carrier mobilities of (110) strained-SOI strongly depend on the current flow directions. As a result, the electron and the hole mobility ratios of (110) strained-SOI MOSFETs to the universal mobility of (100) bulk-MOSFETs increase up to 81% and 203%, respectively. Especially, this (110) hole mobility enhancement is larger by about 50% than that of (100) strained-SOI, and the current drive unbalance between n- and p-MOS can be reduced. Therefore, (110)-surface strained-SOI technology is also the candidate for higher speed scaled CMOS, optimizing the current flow directions of n- and p-MOS. |
| キーワード(和) | (110)面 / ひずみSOI / CMOS / 移動度 / 電流方向 |
| キーワード(英) | (110)-surface / strained-SOI / CMOS / carrier mobility / current flow direction |
| 資料番号 | SDM2003-121,ICD2003-54 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2003/8/14(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | (110)面高性能ひずみSOI-CMOS素子技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | (110)-Surface Strained-SOI CMOS Technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | (110)面 / (110)-surface |
| キーワード(2)（和/英） | ひずみSOI / strained-SOI |
| キーワード(3)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(4)（和/英） | 移動度 / carrier mobility |
| キーワード(5)（和/英） | 電流方向 / current flow direction |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 水野 智久 / Tomohisa MIZUNO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | MIRAI-ASET MIRAI-ASET |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 杉山 直治 / Naoharu SUGIYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | MIRAI-ASET MIRAI-ASET |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 手塚 勉 / Tsutomu TEZDUKA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | MIRAI-ASET MIRAI-ASET |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 守山 佳彦 / Yoshihiko MORIYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | MIRAI-ASET MIRAI-ASET |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中払 周 / Shu NAKAHARAI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | MIRAI-ASET MIRAI-ASET |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 高木 信一 / Shinichi TAKAGI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | MIRAI-ASET MIRAI-ASET |
| 発表年月日 | 2003/8/14 |
| 資料番号 | SDM2003-121,ICD2003-54 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 261 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |