| 講演名 | 2003/8/14 低消費電力動作向けSemi-Planar SOI MOSFET(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力)) 南雲 俊治, 平本 俊郎, |
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| 抄録(和) | 超低消費電力LSIに適したデバイスとしてsemi-planar silicon-on insulator (SOI) MOSFETを提案する。デバイススケールの微細化が進むと、しきい値電圧のばらつきが短チャネル効果と並ぶ最重要課題となる。基板バイアス効果を用いた適応的しきい値電圧制御はばらつきの抑制に非常に有効な手段である。semi-planar SOI MOSFETはゲートの三次元的な構造により短チャネル効果を抑えられるだけでなく、有限の基板バイアス係数を有するためばらつき抑制が可能である。本稿では三角細線チャネル構造およびlow-Fin構造についての短チャネル効果、S値および基板バイアス係数に関するシミュレーションおよび実測結果により、従来のSOI MOSFETに対するsemi- lanar SOI MOSFETの優位性を示す。 |
| 抄録(英) | We propose semi-planar silicon-on-insulator (SOI) MOSFETs for ultra-low power LSIs. As device dimensions scale down, threshold voltage fluctuation becomes the most serious issue as well as the short channel effect. Adaptive control of threshold voltage utilizing substrate bias is quite effective for suppressing threshold voltage fluctuation. Semi-planar SOI MOSFETs offers not only suppression of the short channel effect by the three-dimensional gate structure, but also finite value of body effect factor, thus suppression of fluctuation is possible. This paper describes superiority of semi-planar SOI MOSFETs over the conventional SOI MOSFETs by demonstrating simulation and experimental results of the short channel effect, S-factor, and the body effect factor on triangular wire channel structure and low-Fin structure. |
| キーワード(和) | 基板バイアス効果 / 短チャネル効果 / 特性ばらつき / しきい値可変CMOS(VTCMOS) / 完全空乏型(FD) SOI MOSFET |
| キーワード(英) | body effect / short channel effect / characteristics fluctuation / variable threshold voltage CMOS (VTCMOS) / fully-depleted SOI MOSFET |
| 資料番号 | SDM2003-120,ICD2003-53 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2003/8/14(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低消費電力動作向けSemi-Planar SOI MOSFET(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Semi-Planar SOI MOSFETs for low-power operation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 基板バイアス効果 / body effect |
| キーワード(2)（和/英） | 短チャネル効果 / short channel effect |
| キーワード(3)（和/英） | 特性ばらつき / characteristics fluctuation |
| キーワード(4)（和/英） | しきい値可変CMOS(VTCMOS) / variable threshold voltage CMOS (VTCMOS) |
| キーワード(5)（和/英） | 完全空乏型(FD) SOI MOSFET / fully-depleted SOI MOSFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 南雲 俊治 / Toshiharu NAGUMO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 平本 俊郎 / Toshiro HIRAMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2003/8/14 |
| 資料番号 | SDM2003-120,ICD2003-53 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 261 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |