| 講演名 | 2002/5/17 単電子トランジスタにおけるゲート電圧制御ゆらぎについて : 高速化と量子ゆらぎの影響 行谷 時男, 日野 勇一郎, 會澤 功嗣, 藤橋 忠悟, |
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| 抄録(和) | まず、単電子トランジスタの動特性解析のための確率過程論的モデルを提案し、このモデルに基づいて2準位過渡確率を求める。これにより、トランジスタの過渡特性や定常状態時の遮断特性を明確にする。また、電荷量と磁束量間における不確定性原理の関係から、動作周波数依存型の電荷量制御量子ゆらぎを求め、これによる制御限界を示す。解析の結果から、高速化のためにはトンネル抵抗を縮小するとともに、ゲート容量を削減して量子ゆらぎの影響を押さえることが重要になることを示す。 |
| 抄録(英) | A stochastic model to analyze dynamic characteristics of single electron transistor is presented and 2 level transient probabilities are derived. Transient characteristics and cut off properties at a steady state of the transistor are made clear from the model. Quantum fluctuation on charge control depending on an operation frequency is obtained from the relation of uncertainty principle between charge and flux quantities, and control limit caused by the fluctuation is discussed. For operation speed improvements, as the results, it is pointed out that the tunnel resistance reduction and the suppression of quantum noise effects by reducing the gate capacitance are important. |
| キーワード(和) | 単電子トランジスタ / 動特性 / 確率過程論 / 電荷量制御量子ゆらぎ |
| キーワード(英) | Single electron transistor / Dynamic characteristics / Stochastic process / Charge control quantum fluctuation |
| 資料番号 | ICD2002-34 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2002/5/17(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 単電子トランジスタにおけるゲート電圧制御ゆらぎについて : 高速化と量子ゆらぎの影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Gate Voltage Control Fluctuation in Single Electron Transistor : Operation Speed Improvements and Quantum Fluctuation Effects |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 単電子トランジスタ / Single electron transistor |
| キーワード(2)（和/英） | 動特性 / Dynamic characteristics |
| キーワード(3)（和/英） | 確率過程論 / Stochastic process |
| キーワード(4)（和/英） | 電荷量制御量子ゆらぎ / Charge control quantum fluctuation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 行谷 時男 / Tokio YUKIYA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工芸大学工学部 Faculty of Engineering, Tokyo Institute of Polytechnics |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 日野 勇一郎 / Yuichiro HINO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工芸大学工学部 Faculty of Engineering, Tokyo Institute of Polytechnics |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 會澤 功嗣 / Koji AIZAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工芸大学工学部 Faculty of Engineering, Tokyo Institute of Polytechnics |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 藤橋 忠悟 / Chugo FUJIHASHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工芸大学工学部 Faculty of Engineering, Tokyo Institute of Polytechnics |
| 発表年月日 | 2002/5/17 |
| 資料番号 | ICD2002-34 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 83 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |