| 講演名 | 2002/5/17 ハイブリッドポートアーキテクチャを備えた民生ネットワーク向け800Mb/s対応物理層LSIの開発 江渕 剛志, 吉河 武文, 吉田 忠弘, 有馬 幸生, 岩田 徹, 西村 佳壽子, 木村 博, 小松 義英, 山内 寛行, |
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| 抄録(和) | 民生ネットワーク向けに800Mb/s対応物理層LS五を開発した。本物理層LSIは、DSポート(IEEE1394-2000準拠)を1ポートと、b弓taポート(P1394b Draft1.01準拠)を2ポート備えている(ハイブリッドポートアーキテクチャ)。0.25umCMOSプロセスを採用し、betaポートは、最大実効データ転送レート800Mb/s、最大データ伝送距離1.2km、消費電力180mWを達成した。 |
| 抄録(英) | A physical layer LSI with hybrid port architecture has been developed for consumer electronics networking. This LSI has one DS-port and two beta ports in accordance with IEEE1394-2000 and P1394b Draft 1.01 respectively. The 0.25um CMOS LSI realizes 800Mb/s and 1.2km peer-to-peer IEEE1394 networking through beta port. Each beta port requires 180mW active power and is treated as ASIC macro for future large system integration. |
| キーワード(和) | IEEE1394 / betaport / 800Mb/s / クロックリカバリ / ドライバ / CMOS |
| キーワード(英) | IEEE1394 / beta port / 800Mb/s / clock recovery / driver circuit / CMOS |
| 資料番号 | ICD2002-25 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2002/5/17(から1日開催) |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ハイブリッドポートアーキテクチャを備えた民生ネットワーク向け800Mb/s対応物理層LSIの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | An 800Mb/s Physical Layer LSI with Hybrid Port Architecture for Consumer Electronics Networking |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | IEEE1394 / IEEE1394 |
| キーワード(2)（和/英） | betaport / beta port |
| キーワード(3)（和/英） | 800Mb/s / 800Mb/s |
| キーワード(4)（和/英） | クロックリカバリ / clock recovery |
| キーワード(5)（和/英） | ドライバ / driver circuit |
| キーワード(6)（和/英） | CMOS / CMOS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 江渕 剛志 / Tsuyoshi EBUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体社開発本部 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉河 武文 / Takefumi YOSHIKAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体社開発本部 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 吉田 忠弘 / Tadahiro YOSHIDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体社開発本部 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 有馬 幸生 / Yukio ARIMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体社開発本部 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岩田 徹 / Toru IWATA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体社開発本部 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 西村 佳壽子 / Kazuko NISHIMURA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体社開発本部 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 木村 博 / Hiroshi KIMURA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体社開発本部 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 小松 義英 / Yoshihide KOMATSU |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体社開発本部 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 山内 寛行 / Hiroyuki YAMAUCHI |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体社開発本部 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2002/5/17 |
| 資料番号 | ICD2002-25 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 83 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |