| 講演名 | 2003/1/23 高感度裏面エミッション検出によるウエハレベル故障分布解析 吉田 岳司, 小野山 歩, 小山 徹, 小守 純子, 益子 洋治, |
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| 抄録(和) | 近赤外領域において高感度を有するMCT(Mercurv Cadmium Telluride)検出器を搭載したウエハレベル裏面発光解析装置を開発した。本装置では、Iddqテストによる異常ベクターの自動抽出から、当該ベクターでの自動発光検出に至る一連の処理を、ウエハ上の全チップに対して自動で行なうことができる。今回、我々はMCT検出器を用いた裏面からの発光検出感度が、従来の上面からの検出感度に比較して飛躍的に向上することを確認した。さらに、多層配線の実デバイスによる検証の結果、裏面からの発光検出による故障箇所の検出率が従来の上面からの検出に比べて大幅に向上することを確認した。これらの結果に加え、我々が開発したウエハレベル分布解析の有効性について紹介する。 |
| 抄録(英) | We devploped a wafer level backside emission analysis system carrying the MCT (Mereury Cadmium Telluride) detector which has high sensitivity in a near-infrared range. This system enables to perform automatically a series of analysis processes from pointing out the failed vector by the Iddq test to detecting the emission at that vector for every chip on a wafer. We confirmed that detection sensitivity of emission from backside was greatly improved with the MCT detector as compared with the conventional detection from topside using a TEG and a roal logic LSI with multiple metal layer. Furthermore, we discussed about the advantages of the wafer level distribut ion analysis in this paper. |
| キーワード(和) | 故障診断 / lddq / 自動解析 / エミッション解析 |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2003/1/23(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高感度裏面エミッション検出によるウエハレベル故障分布解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Sensitive Backside Emission Analysis for wafer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 故障診断 |
| キーワード(2)（和/英） | lddq |
| キーワード(3)（和/英） | 自動解析 |
| キーワード(4)（和/英） | エミッション解析 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉田 岳司 / T. Yoshida |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社ULSI技術開発センタープロセス評価技術部 ULSI Development Center, Evolution & Analysis Department, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小野山 歩 / A. Onoyama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社生産技術センターファインプロセス技術部 Manufacturing Engineering Center, Fine Process Engineering Department, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小山 徹 / T. Koyama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社ULSI技術開発センタープロセス評価技術部 ULSI Development Center, Evolution & Analysis Department, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小守 純子 / J. Komori |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社ULSI技術開発センタープロセス評価技術部 ULSI Development Center, Evolution & Analysis Department, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 益子 洋治 / Y. Mashiko |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社ULSI技術開発センタープロセス評価技術部 ULSI Development Center, Evolution & Analysis Department, Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2003/1/23 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 622 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |