| 講演名 | 2004/5/6 III-V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) 久留 真一, 山田 寛之, 小泉 淳, 大賀 涼, 田渕 雅夫, 竹田 美和, |
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| 抄録(和) | GaInAs/InP、GaInP/GaAsの様なヘテロ接合構造は、作製の際にIII族、V族両方の原料切替えが必要であり、設計通りの層構造作製が容易でないことが知られている。本研究では、三元系混晶GaInAs、GaInPの層厚がある値より薄くなった時、一般に制御が難しいと考えられるV族組成分布のみならずIII族組成分布の変化も無視できず、設計値とは全く異なる層ができることをX線CTR(crystal truncation rod)散乱法により示す。さらに、薄いヘテロ層でも成長温度を変化することで,組成分布の制御が可能になることを示す。 |
| 抄録(英) | In the heterostructures of III-V compound semiconductors, such as GaInAs/InP and GaInP/GaAs, it is well known that well defined interfaces are difficult to obtain since both of the exchanges of the group-Ill and group-V atoms have to be controlled at the interfaces. In this work, we show that how thin GaInAs and GaInP layers of which composition profiles are well controlled can be obtained when the InP/GaInAs/InP and GaAs/GaInP/GaAs double heterostructures are grown at conventional conditions. Growth temperature dependences of the composition profiles are also investigated to control the composition profiles even when the GaInAs and GaInP layers are as thin as a few molecular layers. |
| キーワード(和) | ヘテロエピタキシャル成長 / OMVPE法 / X線CTR散乱法 / III族組成分布 / V族組成分布 |
| キーワード(英) | heteroepitaxy / OMVPE / X-ray CTR scattering / group-III atom distribution / group-V atom distribution |
| 資料番号 | ED2004-20,CPM2004-15,SDM2004-20 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/5/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | III-V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Control of group-III atoms distribution in thin quantum wells by change of growth temperature : X-ray CTR scattering measurements |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ヘテロエピタキシャル成長 / heteroepitaxy |
| キーワード(2)（和/英） | OMVPE法 / OMVPE |
| キーワード(3)（和/英） | X線CTR散乱法 / X-ray CTR scattering |
| キーワード(4)（和/英） | III族組成分布 / group-III atom distribution |
| キーワード(5)（和/英） | V族組成分布 / group-V atom distribution |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 久留 真一 / Shinichi HISADOME |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山田 寛之 / Hiroyuki YAMADA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小泉 淳 / Atsushi KOIZUMI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学エコトピア科学研究機構ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Venture Business Laboratory, EcoTopia Science Institute,Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大賀 涼 / Ryo OGA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学エコトピア科学研究機構ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Venture Business Laboratory, EcoTopia Science Institute,Nagoya University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 田渕 雅夫 / Masao TABUCHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋大学エコトピア科学研究機構ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Venture Business Laboratory, EcoTopia Science Institute,Nagoya University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 竹田 美和 / Yoshikazu TAKEDA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻:名古屋大学エコトピア科学研究機構ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University:Venture Business Laboratory, EcoTopia Science Institute,Nagoya University |
| 発表年月日 | 2004/5/6 |
| 資料番号 | ED2004-20,CPM2004-15,SDM2004-20 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 43 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |