講演名 2004/9/20
65nm世代以降のリソフレンドリ設計技術(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
小谷 敏也, 井上 壮一,
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抄録(和)
抄録(英)
キーワード(和) low-k1リソグラフィ / OPC / RET / DfM
キーワード(英)
資料番号 VLD2004-37,SDM2004-161
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2004/9/20(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 65nm世代以降のリソフレンドリ設計技術(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英)
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) low-k1リソグラフィ
キーワード(2)(和/英) OPC
キーワード(3)(和/英) RET
キーワード(4)(和/英) DfM
第 1 著者 氏名(和/英) 小谷 敏也
第 1 著者 所属(和/英) (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
第 2 著者 氏名(和/英) 井上 壮一
第 2 著者 所属(和/英) (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
発表年月日 2004/9/20
資料番号 VLD2004-37,SDM2004-161
巻番号(vol) vol.104
号番号(no) 323
ページ範囲 pp.-
ページ数 2
発行日