講演名 | 2004/9/20 65nm世代以降のリソフレンドリ設計技術(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 小谷 敏也, 井上 壮一, |
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抄録(和) | |
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キーワード(和) | low-k1リソグラフィ / OPC / RET / DfM |
キーワード(英) | |
資料番号 | VLD2004-37,SDM2004-161 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
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開催期間 | 2004/9/20(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 65nm世代以降のリソフレンドリ設計技術(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | low-k1リソグラフィ |
キーワード(2)(和/英) | OPC |
キーワード(3)(和/英) | RET |
キーワード(4)(和/英) | DfM |
第 1 著者 氏名(和/英) | 小谷 敏也 |
第 1 著者 所属(和/英) | (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター |
第 2 著者 氏名(和/英) | 井上 壮一 |
第 2 著者 所属(和/英) | (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター |
発表年月日 | 2004/9/20 |
資料番号 | VLD2004-37,SDM2004-161 |
巻番号(vol) | vol.104 |
号番号(no) | 323 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 2 |
発行日 |