| 講演名 | 2004/9/20 FD-SOI MOSデバイスのRFモデリングに関する検討(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 清水 由幸, 金 杢哲, 村上 豊生, 上田 啓介, 洞木 吉博, 車 承佑, 松岡 俊匡, 谷口 研二, |
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| 抄録(和) | FD-SOI CMOS RF回路の設計を目的として,FD-SOI MOSFETのRF特性のモデリングを行った.本稿ではソース接地型MOSFETのYパラメータに着目している.FD-SOI MOSFETの測定から得た出力側のYパラメータは,一般に用いられるMOSFETの小信号モデルの解析から得られるものと比較して,大きく異なる傾向を示した.これは,ドレイン電流の変動がドレイン・ソース間電圧変動に対して遅延を持っていることに起因する.この現象はバルクデバイスでは基板容量の影響が大きいために確認できないものである.我々は従来のMOSFETモデルにドレイン・ソース間電流の遅延の要素を加えることで,実測に近いMOSFETモデルを得た. |
| 抄録(英) | A model of FD-SOI MOSFET's RF behavior has been developed for RF circuit design. This paper consider y-parameter of a common-source MOSFET. A measured y-parameter on drain output of FD-SOI MOSFET has different behavior from that of bulk MOSFET. This phenomenon is caused by delay between a drain-source voltage variation and a drain current caused by the voltage, and cannot be observed on bulk devices which have a large body capacitance. We develope a model to explain the tendencies by assigning delay at a drain current. |
| キーワード(和) | MOSFET / RF / モデリング / FD-SOI / Yパラメータ |
| キーワード(英) | MOSFET / RF / modeling / FD-SOI / y-parameter |
| 資料番号 | VLD2004-32,SDM2004-156 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/9/20(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | FD-SOI MOSデバイスのRFモデリングに関する検討(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study of a model for FD-SOI MOSFET's RF characteristics |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | RF / RF |
| キーワード(3)（和/英） | モデリング / modeling |
| キーワード(4)（和/英） | FD-SOI / FD-SOI |
| キーワード(5)（和/英） | Yパラメータ / y-parameter |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 清水 由幸 / Yoshiyuki SHIMIZU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 金 杢哲 / GueChol KIM |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 村上 豊生 / Bunsei MURAKAMI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 上田 啓介 / Keisuke UEDA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 洞木 吉博 / Yoshihiro UTSUROGI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 車 承佑 / Sungwoo CHA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 松岡 俊匡 / Toshimasa MATSUOKA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 谷口 研二 / Kenji TANIGUCHI |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 発表年月日 | 2004/9/20 |
| 資料番号 | VLD2004-32,SDM2004-156 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 323 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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