| 講演名 | 2004/8/12 10Gネットワークアプリケーションに対応した12.5Gbps Half-rate CMOS CDRの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力)) 高相 純, 吉村 勉, 近藤 晴房, 東坂 範雄, |
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| 抄録(和) | ブロードバンド化に伴い通信ネットワークに対する高速化・大容量化の要求が高まっている。本稿では、10G光通信アプリケーションに対応したTrue half-rate CDR(Clock and Data Recovery circuit)回路について報告する。multi voltage level構造を有するXOR回路内蔵のチャージポンプ回路を用い、従来よりも回路内部の動作周波数を1/2に緩和した。0.1μm SOI-CMOSプロセスを用いて低消費電力化を実現し、動作周波数範囲は10.2G～12.5Gbpsとなり、各種の光通信アプリケーションを満足することが出来た。また、ジッタトレランスは0.39UI、入力感度は9mVp-pと実用上十分な性能である。 |
| 抄録(英) | This paper describes a true half-rate CMOS CDR circuit suitable for 10Gbps network applications. The CDR adopts a phase detector and a current mode EXOR charge pump with alleviated switching speeds to obtain higher speed margins. A 10.3Gbps CDR for 10Gbps Ethernet has been fabricated using a 0.10um SOI-CMOS process technology. With proposed circuit configuration, the CDR can operate over 12Gbps without error. The jitter tolerance is more than 0.39UI with 4M-80MHz jitter frequency range. |
| キーワード(和) | True half-rate / CDR / SOI-CMOS / 光通信アプリケーション |
| キーワード(英) | True half-rate / CDR / SOI-CMOS / network application |
| 資料番号 | SDM2004-131,ICD2004-73 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/8/12(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 10Gネットワークアプリケーションに対応した12.5Gbps Half-rate CMOS CDRの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 12.5Gbps Half-rate CMOS CDR Circuit For 10Gbps Network Applications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | True half-rate / True half-rate |
| キーワード(2)（和/英） | CDR / CDR |
| キーワード(3)（和/英） | SOI-CMOS / SOI-CMOS |
| キーワード(4)（和/英） | 光通信アプリケーション / network application |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高相 純 / Jun TAKASOH |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所光素子部 Optoelectronic Devices Dept., High Frequency and Optical Devices Work, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉村 勉 / Tsutomu YOSHIMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所高周波素子開発部 Microwave Device Development Dept., High Frequency and Optical Devices Work, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 近藤 晴房 / Harufusa KONDOH |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所高周波素子開発部 Microwave Device Development Dept., High Frequency and Optical Devices Work, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 東坂 範雄 / Norio HIGASHISAKA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所光素子部 Optoelectronic Devices Dept., High Frequency and Optical Devices Work, Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2004/8/12 |
| 資料番号 | SDM2004-131,ICD2004-73 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 248 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |