| 講演名 | 2004/8/12 4Gb AG-ANDフラッシュメモリにおいて16MB/sを実現する多値高速書込み技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力)) 大津賀 一雄, 倉田 英明, 笹子 佳孝, 有金 剛, 河村 哲史, 小林 孝, 池田 良広, 佐藤 聡彦, 小堺 健司, 野田 敏史, 清水 雅裕, 土屋 修, 古沢 和則, |
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| 抄録(和) | 本報告では,90nmプロセスルールを用いた4Gb AG-ANDフラッシュメモリにおいて,書込み転送レート16MB/sを実現可能とする多値高速書込み技術について述べる。多値高速書込みを実現するキー技術として、メモリセル毎の書込みばらつきを低減するチャージシェア書込み方式と、負荷の重いグローバルビット線をプリチャージせずドレイン電圧を供給可能とするセルフブースト書込み方式を開発した。チャージシェア書込み方式によりベリファイ時間を50%、セルフブースト書込み方式によりドレイン電圧を供給するのに要する時間を82%削減した。本技術により,4Gb AG-ANDフラッシュメモリにおいて書込み転送レート16MB/sを実現した。 |
| 抄録(英) | This paper describes a high-speed multi-level programming scheme for 90-nm-node 4Gb flash memory which achieves programming throughput of 16MB/s. We developed two key technologies for high-speed multi-level programming. One is charge sharing scheme which reduces the dispersal of programming speed for every cell. The other is self boosting scheme which enables to supply drain voltage without pre-charging large capacitance of global-bit-line. The charge sharing scheme reduces verification time by 50%, and the self boosting scheme decreases pre-charging time by 82%. With these two schemes, we achieved programming throughput of 16MB/s for 4Gb AG-AND flash memory. |
| キーワード(和) | フラッシュメモリ / AG-AND / 多値 / チャージシェア書込み方式 / セルフブースト書込み方式 |
| キーワード(英) | Flash Memory / AG-AND / Multi-Level Technology / Charge-Sharing Scheme / Self-Boosting Scheme |
| 資料番号 | SDM2004-123,ICD2004-65 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/8/12(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 4Gb AG-ANDフラッシュメモリにおいて16MB/sを実現する多値高速書込み技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 16MB/s High-Speed Multi-Level Programming Scheme for 4Gb AG-AND Flash Memory |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | フラッシュメモリ / Flash Memory |
| キーワード(2)（和/英） | AG-AND / AG-AND |
| キーワード(3)（和/英） | 多値 / Multi-Level Technology |
| キーワード(4)（和/英） | チャージシェア書込み方式 / Charge-Sharing Scheme |
| キーワード(5)（和/英） | セルフブースト書込み方式 / Self-Boosting Scheme |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大津賀 一雄 / K. OTSUGA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 倉田 英明 / H. KURATA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 笹子 佳孝 / Y. SASAGO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 有金 剛 / T. ARIGANE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 河村 哲史 / T. KAWAMURA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 小林 孝 / T. KOBAYASHI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 池田 良広 / Y. IKEADA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp., |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 佐藤 聡彦 / A. SATO |
| 第 8 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp., |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 小堺 健司 / K. KOZAKAI |
| 第 9 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp., |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 野田 敏史 / S. NODA |
| 第 10 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp., |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 清水 雅裕 / M. SIMIZU |
| 第 11 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp., |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 土屋 修 / O. TSUCHIYA |
| 第 12 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp., |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 古沢 和則 / K. HURUSAWA |
| 第 13 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp., |
| 発表年月日 | 2004/8/12 |
| 資料番号 | SDM2004-123,ICD2004-65 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 248 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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