講演名 | 2004/8/12 SOIを用いた低電力SoC向けSRAMメモリセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力)) 山岡 雅直, 長田 健一, 土屋 龍太, 堀内 勝忠, 木村 紳一郎, 河原 尊之, |
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抄録(和) | FD-SOIの一種であるD2G-SOIというトランジスタ構造を用いて、低電力SoCに最適な2種類のSRAMメモリセルを提案する。1つは6トランジスタ型のメモリセルで65nmプロセスを仮定すると0.6Vでの動作をシミュレーションで確認した。また1つは4トランジスタ型のメモリセルで従来の回路に比ベリーク電流を1/1000以下に低減できる見通しを得た。2種類のメモリセルを選択的にSoCに適用することでチップ全体の性能向上が可能となる。 |
抄録(英) | We developped two SRAM memory cells suitable for low-power SoC. The memory cells are composed of new FD-SOI transistors, which is called as D2G-SOI transistor. One memory cell is composed of six transistors, and is able to operate under 0.6-V operating voltage when manufactured by using 65-nm process. The other memory cell is coposed of four transistors, and the leakage current of the cell is under 1/1000 compared to a conventional four-transistor memory cell. These two memory cells are adequately selected and used in SoC, the performance of the SoC can be improved. |
キーワード(和) | FD-SOI / D2G-SOI / 6トランジスタ型メモリセル / 4トランジスタ型メモリセル / 低ばらつき / 低電力SRAM |
キーワード(英) | FD-SOI / D2G-SOI / six-transistor memory cell / four-transistor memory cell / low variation / low-power SRAM |
資料番号 | SDM2004-122,ICD2004-64 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
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開催期間 | 2004/8/12(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | SOIを用いた低電力SoC向けSRAMメモリセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力)) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | SRAM Memory Cells using FD-SOI for Low-Power SoC |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | FD-SOI / FD-SOI |
キーワード(2)(和/英) | D2G-SOI / D2G-SOI |
キーワード(3)(和/英) | 6トランジスタ型メモリセル / six-transistor memory cell |
キーワード(4)(和/英) | 4トランジスタ型メモリセル / four-transistor memory cell |
キーワード(5)(和/英) | 低ばらつき / low variation |
キーワード(6)(和/英) | 低電力SRAM / low-power SRAM |
第 1 著者 氏名(和/英) | 山岡 雅直 / Masanao YAMAOKA |
第 1 著者 所属(和/英) | 株式会社日立製作所中央研究所 Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory |
第 2 著者 氏名(和/英) | 長田 健一 / Kenichi OSADA |
第 2 著者 所属(和/英) | 株式会社日立製作所中央研究所 Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory |
第 3 著者 氏名(和/英) | 土屋 龍太 / Tyuta TSUCHIYA |
第 3 著者 所属(和/英) | 株式会社日立製作所中央研究所 Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory |
第 4 著者 氏名(和/英) | 堀内 勝忠 / Masatada HORIUCHI |
第 4 著者 所属(和/英) | 株式会社日立製作所中央研究所 Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory |
第 5 著者 氏名(和/英) | 木村 紳一郎 / Shinichiro KIMURA |
第 5 著者 所属(和/英) | 株式会社日立製作所中央研究所 Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory |
第 6 著者 氏名(和/英) | 河原 尊之 / Takayuki KAWAHARA |
第 6 著者 所属(和/英) | 株式会社日立製作所中央研究所 Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory |
発表年月日 | 2004/8/12 |
資料番号 | SDM2004-122,ICD2004-64 |
巻番号(vol) | vol.104 |
号番号(no) | 248 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |