講演名 2004/8/12
SOIを用いた低電力SoC向けSRAMメモリセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
山岡 雅直, 長田 健一, 土屋 龍太, 堀内 勝忠, 木村 紳一郎, 河原 尊之,
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抄録(和) FD-SOIの一種であるD2G-SOIというトランジスタ構造を用いて、低電力SoCに最適な2種類のSRAMメモリセルを提案する。1つは6トランジスタ型のメモリセルで65nmプロセスを仮定すると0.6Vでの動作をシミュレーションで確認した。また1つは4トランジスタ型のメモリセルで従来の回路に比ベリーク電流を1/1000以下に低減できる見通しを得た。2種類のメモリセルを選択的にSoCに適用することでチップ全体の性能向上が可能となる。
抄録(英) We developped two SRAM memory cells suitable for low-power SoC. The memory cells are composed of new FD-SOI transistors, which is called as D2G-SOI transistor. One memory cell is composed of six transistors, and is able to operate under 0.6-V operating voltage when manufactured by using 65-nm process. The other memory cell is coposed of four transistors, and the leakage current of the cell is under 1/1000 compared to a conventional four-transistor memory cell. These two memory cells are adequately selected and used in SoC, the performance of the SoC can be improved.
キーワード(和) FD-SOI / D2G-SOI / 6トランジスタ型メモリセル / 4トランジスタ型メモリセル / 低ばらつき / 低電力SRAM
キーワード(英) FD-SOI / D2G-SOI / six-transistor memory cell / four-transistor memory cell / low variation / low-power SRAM
資料番号 SDM2004-122,ICD2004-64
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2004/8/12(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) SOIを用いた低電力SoC向けSRAMメモリセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
サブタイトル(和)
タイトル(英) SRAM Memory Cells using FD-SOI for Low-Power SoC
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) FD-SOI / FD-SOI
キーワード(2)(和/英) D2G-SOI / D2G-SOI
キーワード(3)(和/英) 6トランジスタ型メモリセル / six-transistor memory cell
キーワード(4)(和/英) 4トランジスタ型メモリセル / four-transistor memory cell
キーワード(5)(和/英) 低ばらつき / low variation
キーワード(6)(和/英) 低電力SRAM / low-power SRAM
第 1 著者 氏名(和/英) 山岡 雅直 / Masanao YAMAOKA
第 1 著者 所属(和/英) 株式会社日立製作所中央研究所
Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory
第 2 著者 氏名(和/英) 長田 健一 / Kenichi OSADA
第 2 著者 所属(和/英) 株式会社日立製作所中央研究所
Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory
第 3 著者 氏名(和/英) 土屋 龍太 / Tyuta TSUCHIYA
第 3 著者 所属(和/英) 株式会社日立製作所中央研究所
Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory
第 4 著者 氏名(和/英) 堀内 勝忠 / Masatada HORIUCHI
第 4 著者 所属(和/英) 株式会社日立製作所中央研究所
Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory
第 5 著者 氏名(和/英) 木村 紳一郎 / Shinichiro KIMURA
第 5 著者 所属(和/英) 株式会社日立製作所中央研究所
Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory
第 6 著者 氏名(和/英) 河原 尊之 / Takayuki KAWAHARA
第 6 著者 所属(和/英) 株式会社日立製作所中央研究所
Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory
発表年月日 2004/8/12
資料番号 SDM2004-122,ICD2004-64
巻番号(vol) vol.104
号番号(no) 248
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日