| 講演名 | 2004/6/24 水素終端表面チャネル型ダイヤモンドRFトランジスタ(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議) 梅沢 仁, 平間 一行, 佐藤 充也, 川原田 洋, |
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| 抄録(和) | ダイヤモンド表面を水素化することによって得られるp型表面伝導層上へMISFETを作製し、高周波特性を評価した。ゲート長の微細化と寄生抵抗の低減を行うことによって100mS/mmレベルの相互コンダクタンスを有するMISFETを実現し、0.2μmゲート長において22GHzの遮断周波数を得ることに成功した。さらに、0.2μmゲート長において、Tゲート型構造を取ることによりゲート抵抗の低減(10分の1程度)が実現しており、Tゲート型構造を取らないFETに対して同ゲート長においてf_ |
| 抄録(英) | RF diamond transistor has been developed on hydrogen-terminated surface channel. Utilizing self-aligned gate fabrication process, parasitic source and drain resistances are reduced. Highest transconductance of 150 mS/mm has been realized in deep sub-micron gate MISFET, which is the highest value in diamond FETs at present. Consequently, the high frequency operation of 22 GHz is realized in 0.2μm gate devices. To improve the power gain, self-aligned gate MISFET with T-shaped gate structure is realized. The MISFET shows low sate resistance of 5～10Ω in 0.2 μm gate, that results in high f_ |
| キーワード(和) | ダイヤモンド / 水素終端表面伝道層 / MISFET / 遮断周波数 / 最大発振周波数 |
| キーワード(英) | Diamond / Hydrogen-terminated surface channel / MISFET / f_T / f_ |
| 資料番号 | ED2004-89,SDM2004-101 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/6/24(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 水素終端表面チャネル型ダイヤモンドRFトランジスタ(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Hydrogen Terminated Diamond RF Transistor(Session A7 High Power Devices)(2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004)) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ダイヤモンド / Diamond |
| キーワード(2)（和/英） | 水素終端表面伝道層 / Hydrogen-terminated surface channel |
| キーワード(3)（和/英） | MISFET / MISFET |
| キーワード(4)（和/英） | 遮断周波数 / f_T |
| キーワード(5)（和/英） | 最大発振周波数 / f_ |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 梅沢 仁 / Hitoshi UMEZAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 早稲田大学理工学部 School of Science and Engineering, Waseda University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 平間 一行 / Kazuyuki HIRAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 早稲田大学理工学部 School of Science and Engineering, Waseda University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐藤 充也 / Mitsuya SATOH |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 早稲田大学理工学部 School of Science and Engineering, Waseda University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 川原田 洋 / Hiroshi KAWARADA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 早稲田大学理工学部 School of Science and Engineering, Waseda University |
| 発表年月日 | 2004/6/24 |
| 資料番号 | ED2004-89,SDM2004-101 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 156 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |