| 講演名 | 2004/6/24 ゾルゲル法によるPb(Zr,Ti)TiO_3薄膜の作製と強誘導体ゲート薄膜トランジスタへの応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議) 徳光 永輔, 宮迫 毅明, 妹尾 賢, |
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| 抄録(和) | 本稿では、ゾルゲル法により成膜過程に、減圧での仮焼成プロセスを導入してPb(Zr,Ti)0_3(PZT)薄膜を作製した結果について述べる。減圧仮焼成を導入することによって、良好な電気的特性と表面平坦性を有するPZT強誘電体薄膜を作製することができた。600℃で結晶化アニールを施したPZT薄膜において得られた残留分極(Pr)、抗電界(E_C)の値は、それぞれ35μC/cm^2、64kV/cmであった。さらにこのPZT薄膜をゲート絶縁膜として用い、インジウム・スズ酸化物(ITO)をチャネルとした薄膜トランジスタを作製し、良好なトランジスタ動作を確認した。試作したデバイスは強誘電体による不揮発性メモリ機能を実現している。 |
| 抄録(英) | We have fabricated Pb(Zr,Ti)O3(PZT) thin films by the sol-gel technique for thin film transistor applications. It is found that the PZT films fabricated with low-pressure consolidation process show excellent electrical properties and surface morphologies. A remanent polarization (Pr) and coercive field (E_C) of the PZT thin films crystallized at 600℃ are 35μC/cm^2 and 64kV/cm, respectively. We next apply this PZT film to fabricate thin film transistors using indium tin oxide (ITO) as a channel layer. lt is demonstrated that the PZT/ITO thin film transistor has good transistor characteristics with nonvolatile memory function. |
| キーワード(和) | 強誘電体 / 薄膜トランジスタ / 強誘電体ゲートトランジスタ / Pb(Zr,Ti)O_3(PZT) |
| キーワード(英) | Ferroelectric / Thin film transisitor / Ferroelectric-gate transistor / Pb(Zr,Ti)O_3(PZT) |
| 資料番号 | ED2004-84,SDM2004-96 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/6/24(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | ゾルゲル法によるPb(Zr,Ti)TiO_3薄膜の作製と強誘導体ゲート薄膜トランジスタへの応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation of Pb(Zr, Ti)O_3 Thin Films by Sol-Gel Technique for Ferroelectric-Gate Thin Film Transistor Applications(Session B5 Si-Devices I)(2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004)) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 強誘電体 / Ferroelectric |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜トランジスタ / Thin film transisitor |
| キーワード(3)（和/英） | 強誘電体ゲートトランジスタ / Ferroelectric-gate transistor |
| キーワード(4)（和/英） | Pb(Zr,Ti)O_3(PZT) / Pb(Zr,Ti)O_3(PZT) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 徳光 永輔 / Eisuke TOKUMITSU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 宮迫 毅明 / Takaaki MIYASAKO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 妹尾 賢 / Masaru SENOO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2004/6/24 |
| 資料番号 | ED2004-84,SDM2004-96 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 156 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |