| 講演名 | 2004/6/24 Boron Penetration study of P channel Power MOSFET for Low Gate Driving Application(Session B5 Si-Devices I)(2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004)) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | In this paper, the P-channel Power MOSFET with a thin gate-oxide (200Å) threshold voltage (Vth) failure mechanism has been discussed. The Vth failure was observed by a heavy source implant for a P-type surface channel enhanced mode Power MOSFET. The heavy boron implant induces a penetration through P+ doped poly-silicon Power MOSFET has also been discussed. In general, the boron penetration exponentially increases with a decreased oxide thickness. The SEM and simulation data all show the well junction profile was re-distributed by the boron penetration. The measured data shows the boron penetration can be the prime contributor to PMOS Vth variation. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Power MOSFET / boron penetration / threshold voltage (Vth) |
| 資料番号 | ED2004-83,SDM2004-95 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/6/24(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Boron Penetration study of P channel Power MOSFET for Low Gate Driving Application(Session B5 Si-Devices I)(2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004)) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Power MOSFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Feng-Tso Chien |
| 第 1 著者 所属（和/英） | R&D Dept. Chino-Excel Technology Corp. |
| 発表年月日 | 2004/6/24 |
| 資料番号 | ED2004-83,SDM2004-95 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 156 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |