| 講演名 | 2004/6/23 Si薄膜のNi供給量制限MILC成長における電界印加効果(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議) 中川 豪, 柴田 憲利, 浅野 種正, |
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| 抄録(和) | Niの供給量を制限した状態で、電界を印加しながら金属誘起横方向結晶化(Metal-Induced Lateral Crystallization : MILC)を行い、MILC成長メカニズムと電界印加の効果について調査した。電界を印加することで横方向成長距離は見かけ上、正極側で大幅に増加し、逆に負極側では減少するという結果を得た。成長が促進された正極側のSi結晶をSEMで観察したところ、MILCによって一様に成長したSi結晶の先に針状結晶群が成長しており、更に成長端では結晶成長が不連続で互いに独立して成長した針状Si結晶が観測された。この現象を解明するためにNiの供給を停止した状態で電界印加MILCを行った結果、Niの供給を停止しない場合と比較して正極側の成長距離は大幅に減少した。またその時、正極側には独立した針状Si結晶は発生しなかった。これらの結果から、電界はMILC成長を促進しているのではなく、a-Si中へのNiの拡散を促進していると考えられる。 |
| 抄録(英) | The role of electric field in metal-induced lateral crystallization(MILC) of a-Si under limited Ni-supply condition has been investigated. The nominal lateral-growth rate was increased from 3.61μm/h(no-electric field) to 23.1 μm/h at the positive electrode side and reduced to 2.75 μm/h at the negative electrode side in presence of the electric field of 20 V/cm. However, spontaneously nucleated needle-like Si crystals were observed in the enhanced positive electrode side, which have been found to be independent of the MILC. Besides, further investigation under the condition where Ni in the supply region was removed on the way of crystallization revealed that the electric field enhanced crystallization greatly reduced. These results indicate that the electric field does not enhance the MILC growth but enhances the diffusion of Ni in a-Si which takes place prior to the MILC growth. |
| キーワード(和) | 多結晶シリコン / TFT / 金属誘起横方向結晶化 / 針状Si結晶 / ニッケルシリサイド / 電界 |
| キーワード(英) | poly-Si / TFT / Metal-Induced Lateral Crystallization / Needle-like Si / Ni-siliside / electric field |
| 資料番号 | ED2004-71,SDM2004-83 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/6/23(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | Si薄膜のNi供給量制限MILC成長における電界印加効果(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of Electric Field on Metal-Induced Lateral Crystallization of Si Films under Limited Ni-Supply Condition(Session A4 Thin Film Transistor)(2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004)) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多結晶シリコン / poly-Si |
| キーワード(2)（和/英） | TFT / TFT |
| キーワード(3)（和/英） | 金属誘起横方向結晶化 / Metal-Induced Lateral Crystallization |
| キーワード(4)（和/英） | 針状Si結晶 / Needle-like Si |
| キーワード(5)（和/英） | ニッケルシリサイド / Ni-siliside |
| キーワード(6)（和/英） | 電界 / electric field |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中川 豪 / Gou Nakagawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 柴田 憲利 / Noritoshi Shibata |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 浅野 種正 / Tanemasa Asano |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2004/6/23 |
| 資料番号 | ED2004-71,SDM2004-83 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 155 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |