| 講演名 | 2004/6/23 固体YAG2 ωグリーンレーザーによる再結晶化シリコン薄膜の解析(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議) 松尾 直人, 河本 直哉, 玉川 孝一, 西森 才将, 原田 泰典, 羽山 昌宏, |
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| 抄録(和) | アモルファス-Si (a-Si)を固体YAG2ωグリーンレーザにより結晶化した低温多結晶シリコン(polycrystalline silicon, poly-Si)薄膜の物理解析を行った。グレインサイズ、表面に垂直方向の結晶化率、及び、表面ラフネスがエネルギー密度に関して極値をもつ。熱勾配の大きさにより、グレインの優先成長を生じるという機構を考える事によりこの現象を説明できる。再結晶化膜に関し、レーザスキャン方向、スキャン垂直方向に測定されたTOフオノンピークの標準偏差はほぼ1cm^<-1>であった。 |
| 抄録(英) | Characteristics of low-temperature polycrystalline-silicon (poly-Si) by irradiating solid-state YAG2 ω green laser on the amorphous-Si (a-Si) was investigated. Grain size of poly-Si, crystallization rate perpendicular to the surface and surface roughness show the maximum values at the particular energy density. This phenomenon is clarified by the preferential crystal growth due to the thermal gradient. The standard deviations of TO phonon peak shifts, which was measured parallel or perpendicular to the scanning direction of laser for the recrystallized Si layer, was approximately 1 cm^<-1>. |
| キーワード(和) | 固体YAG2ωグリーンレーザ / 多結晶シリコン / TOフォノンピーク / 標準偏差 |
| キーワード(英) | solid-state YAG2 ω green laser / polycrystalline-silicon (poly-Si) / TO phonon peak shift / standard deviations |
| 資料番号 | ED2004-70,SDM2004-82 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/6/23(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 固体YAG2 ωグリーンレーザーによる再結晶化シリコン薄膜の解析(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of Recrystallized Si Film Prepared by YAG2 ω Green Laser(Session A4 Thin Film Transistor)(2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004)) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 固体YAG2ωグリーンレーザ / solid-state YAG2 ω green laser |
| キーワード(2)（和/英） | 多結晶シリコン / polycrystalline-silicon (poly-Si) |
| キーワード(3)（和/英） | TOフォノンピーク / TO phonon peak shift |
| キーワード(4)（和/英） | 標準偏差 / standard deviations |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松尾 直人 / Naoto Matsuo |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学大学院 Department of Material Science and Chemistry, University of Hyogo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 河本 直哉 / Naoya Kawamoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部 Department of Electrical and Electric Engineering, Yamaguchi University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 玉川 孝一 / Kouich Tamagawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)アルバック ULVAC, Inc. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 西森 才将 / Toshimasa Nishimori |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部 Department of Electrical and Electric Engineering, Yamaguchi University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 原田 泰典 / Yasunori Harada |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学大学院 Department of Material Science and Chemistry, University of Hyogo |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 羽山 昌宏 / Masahiro Hayama |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)アルバック ULVAC, Inc. |
| 発表年月日 | 2004/6/23 |
| 資料番号 | ED2004-70,SDM2004-82 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 155 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |