| 講演名 | 2004/6/23 Low temperature poly-Si thin film transistor on plastic substrates(Session A4 Thin Film Transistor)(2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004)) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | We present the characterization of poly-Si TFT (Thin Film transistor) fabricated below 170℃ using excimer laser crystallization of sputtered Si films. ln particular, a gate insulator with a breakdown field exceeding 8 MV/cm was deposited by using ICP (Inductively Coupled Plasma) CVD (Chemical Vapor Deposition). A buffer layer possessing high thermal conductivity was inserted between the active channel and the plastic substrate, in order to protect the plastic substrate from the thermal energy of the laser and to increase adhesion of Si film on plastic. Using this method, we successfully fabricate TFT with a stable electron field-effect mobility value greater than 14 cm^2/Vsec.. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | poly-Si / TFT / plastic substrate |
| 資料番号 | ED2004-69,SDM2004-81 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/6/23(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low temperature poly-Si thin film transistor on plastic substrates(Session A4 Thin Film Transistor)(2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004)) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / poly-Si |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Jang Yeon Kwon |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT) |
| 発表年月日 | 2004/6/23 |
| 資料番号 | ED2004-69,SDM2004-81 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 155 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |