| 講演名 | 2004/6/23 イオンビームスパッタ法によるSiGe膜のエプタキシャル成長と巨大熱起電力の発現(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議) 佐々木 公洋, 北居 正弘, 渡瀬 博之, |
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| 抄録(和) | イオンビームスパッタ法を用いたSiGe膜のエピタキシャル成長について調査している.スパッタリング過程における成長膜表面への照射効果はエピタキシャル成長に関して重要である.照射損傷はスパッタリングガスの原子量を変えることによって制御可能である.SiGe膜の歪みは,加速電圧を変えることによって制御可能である.結晶性の悪いSiGe合金膜の熱電特性を調べたところ1.5mV/Kおよび7.1×10^<-2>Wm^<-1>K^<-2>という大きな熱起電力が得られた. |
| 抄録(英) | Epitaxial growth of SiGe films using an ion beam sputtering technique is investigated. Radiation effects to a growing film by the sputtering process are significant to the epitaxial growth. Radiation damage is controllable by changing the atomic weight of sputtering gas. Strain of SiGe films is also controllable by changing the acceleration voltage. Thermoelectric properties of the SiGe alloy films with deteriorated crystallinity were investigated and a large thermoelectric power of 1.5mV/K and power factor of 7.l×10^<-2> Wm^<-1>K^<-2> were obtained. |
| キーワード(和) | シリコンゲルマニュウム / エピタキシャル成長 / イオンビームスパッタリング / ひずみ緩和 / 熱起電力 |
| キーワード(英) | SiGe / Epitaxial growth / Ion beam sputtering / Strain relaxation / Thermoelectric power |
| 資料番号 | ED2004-67,SDM2004-79 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/6/23(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | イオンビームスパッタ法によるSiGe膜のエプタキシャル成長と巨大熱起電力の発現(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Epitaxial Growth of Sige Films Grown by Ion-Beam Sputtering and Generation of Large Thermoelectric Power(Session A3 Si Materails and Process)(2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004)) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンゲルマニュウム / SiGe |
| キーワード(2)（和/英） | エピタキシャル成長 / Epitaxial growth |
| キーワード(3)（和/英） | イオンビームスパッタリング / Ion beam sputtering |
| キーワード(4)（和/英） | ひずみ緩和 / Strain relaxation |
| キーワード(5)（和/英） | 熱起電力 / Thermoelectric power |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐々木 公洋 / Kimihiro SASAKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢大学自然科学研究科 Graduate School of Science & Technology, Kanazawa University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 北居 正弘 / Masahiro KITAI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢大学自然科学研究科 Graduate School of Science & Technology, Kanazawa University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 渡瀬 博之 / Hiroyuki WATASE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢大学自然科学研究科 Graduate School of Science & Technology, Kanazawa University |
| 発表年月日 | 2004/6/23 |
| 資料番号 | ED2004-67,SDM2004-79 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 155 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |