| 講演名 | 2004/6/23 歪みSi/SiGe上に形成したマイクロ波励起プラズマ酸化膜の特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議) 西坂 美香, 浅野 種正, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 歪みSi/SiGe-MOSFETのゲート酸化膜としてマイクロ波励起プラズマ酸化膜を適用を検討した.プラズマ酸化と熱酸化における歪みSiの酸化前後の表面ラフネスをAFMで観察するために,同一エリアを複数回観察できる定点AFM観察法を用いた.熱酸化法を適用すると酸化速度が歪みの空間分布の影響を受けるため,クロスハッチパターンに沿ってラフネスが増大するが,酸化膜の成長が拡散律速されるマイクロ波励起プラズマ酸化の場合,ラフネスの増加は抑えられ均一に酸化することがわかった.また,Ge濃度15%の歪みSi-MOSFETを作製を行った結果,バルクSi素子に比べ70%の相互コンダクタンスの増大を確認した. |
| 抄録(英) | We have applied microwave-plasma oxidation to the gate oxide formation of strained-Si MOSFET. Change in surface morphology of plasma oxidized strained-Si/SiGe is studied using an atomic force microscope (AFM) and compared with thermal oxidation. The AFM observation is carried out before and after oxidation in an identical area of a single sample. Plasma oxidation at 400℃ which proceeds under diffusion-limited condition suppressed nonuniform oxide growth caused by cross-hatch related surface morphology and is able to form gate oxide on strained-Si/SiGe without increase in surface roughness. Strained-Si n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors (MOSFETs) on 15%-Ge content wafer are also fabricated and compared with unstrained Si devices. 70% enhancement in the transconductance is achieved. |
| キーワード(和) | 歪みSi / SiGe / プラズマ酸化 / 表面ラフネス / MOSFET |
| キーワード(英) | strained-Si / SiGe / plasma oxidation / surface roughness / MOSFET |
| 資料番号 | ED2004-66,SDM2004-78 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2004/6/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 歪みSi/SiGe上に形成したマイクロ波励起プラズマ酸化膜の特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Morphological and Electrical Properties of Microwave Plasma Gate Oxide on Strained-Si/SiGe(Session A3 Si Materails and Process)(2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004)) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 歪みSi / strained-Si |
| キーワード(2)（和/英） | SiGe / SiGe |
| キーワード(3)（和/英） | プラズマ酸化 / plasma oxidation |
| キーワード(4)（和/英） | 表面ラフネス / surface roughness |
| キーワード(5)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 西坂 美香 / Mika NISHISAKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 浅野 種正 / Tanemasa ASANO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2004/6/23 |
| 資料番号 | ED2004-66,SDM2004-78 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 155 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |