| 講演名 | 2004/6/23 次世代ULSI用歪シリコンウェーハの開発(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議) 中島 寛, 中前 正彦, 宮尾 正信, 大串 英世, 浅野 種正, 萩野 浩靖, |
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| 抄録(和) | 我々は、2001～2003年度に渡って、次世代ULSIに利用可能な高品質歪Siウェーハの開発を目的としてプロジェクトを推進した。得られた成果の概要を報告する。 |
| 抄録(英) | We carried out the strained Si wafer project during fiscal years from 2001 to 2003, which aimed to develop high quality strained Si wafer available for next generation ULSI. The summary of the results obtained in this project is reported. |
| キーワード(和) | 歪Si / ウェーハ / ULSI / SiGe |
| キーワード(英) | strained Si / wafer / ULSI / SiGe |
| 資料番号 | ED2004-64,SDM2004-76 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/6/23(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 次世代ULSI用歪シリコンウェーハの開発(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of Strained Silicon Wafer for Next Generation ULSI(Session A3 Si Materails and Process)(2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004)) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 歪Si / strained Si |
| キーワード(2)（和/英） | ウェーハ / wafer |
| キーワード(3)（和/英） | ULSI / ULSI |
| キーワード(4)（和/英） | SiGe / SiGe |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中島 寛 / Hiroshi NAKASHIMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州大学産学連携センター KASTEC, Kyushu Univ. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中前 正彦 / Masahiko NAKAMAE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱住友シリコン(株) SUMCO |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宮尾 正信 / Masanobu MIYAO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究院 ISEE, Kyushu Univ. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大串 英世 / Hideyo OKUSHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (独)産業技術総合研究所ダイヤモンド研究センター AIST |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 浅野 種正 / Tanemasa ASANO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター CMS, Kyushu Inst. Tech. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 萩野 浩靖 / Hiroyasu HAGINO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 福菱セミコンエンジニアリング(株) Fukuryo Semi-Con Eng. |
| 発表年月日 | 2004/6/23 |
| 資料番号 | ED2004-64,SDM2004-76 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 155 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |