| 講演名 | 2004/6/23 An Analysis of the Kink Phenomena in GaAs-based Short-gate MHEMTs Using 2D Hydrodynamic Device Simulation(Session A2 Compound Semiconductor Devices I)(2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004)) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | The deep-level traps induced during fabrication affect significantly the performance of modulation-doped InAlAs/InGaAs metamorphic HEMTs (MHEMTs) on GaAs wafers. The dynamic behavior of traps in MHEMTs has to be more omprehensively understood for better fabrication and development of the devices for over-100-GHz millimeter-wave applications. In this work, we analyze the dynamic trap effects on the performance of MHEMTs through rigorous 2D hydrodynamic transport simulations using a commercial ISE-DESSIS simulator. The simulations give a good agreement with the measured characteristics of a fabricated MHEMT, and good insight of the dynamic behavior of the traps including the kink phenomena (the weak kink) in short-gate MHEMTs. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Millimeter wave / Metamorphic HEMT (MHEMT) / GaAs / InAlAs / InGaAs / Deep-level Trap / Kink |
| 資料番号 | ED2004-57,SDM2004-69 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/6/23(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | An Analysis of the Kink Phenomena in GaAs-based Short-gate MHEMTs Using 2D Hydrodynamic Device Simulation(Session A2 Compound Semiconductor Devices I)(2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004)) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Millimeter wave |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Myung-Sik Son |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Millimeter-wave Innovaiton Technology REsearch Center, Dongguk University |
| 発表年月日 | 2004/6/23 |
| 資料番号 | ED2004-57,SDM2004-69 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 155 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |