| 講演名 | 2004/6/23 75-110GHz利得可変InP-HEMT導波管アンプモジュール : ミリ波分光,ミリ波イメージング装置等へ向けて(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議) 小杉 敏彦, 柴田 随道, 徳光 雅美, 榎木 孝知, 村口 正弘, 伊藤 弘, 伊藤 猛, |
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| 抄録(和) | 様々なミリ波装置へ向けたシングルチツプ構成のW帯導波管アンプモジュール(WR-10)の開発を行なった。MMIC用デバイスとして0.1μm InP-HEMTを用いている。75-110GHzにおいて9-22dBの小信号利得が得られ,75-105GHzにおいて入力リターンロス-8.3dB以下を維持したまま15dB幅の利得制御が行なえる。80-100GHzにおいて5dBm定入力電力時の出力電力は16.5-18.5dBmとなっている。また82-98GHzにおいて100mWを越える飽和出力電力が得られる。 |
| 抄録(英) | A single-chip waveguide (WR-10) power amplifier module with an 0.1-μm-gate InP-HEMT MMIC developed for millimeter-wave applications has 9 to 22 dB of small signal gain from 75 to 110 GHz, and the control range of the small signal gain is 15 dB from 75 to 105 GHz with input return loss kept at less than -8.3 dB We can obtain 16.5- to 18.5-dBm output power from 80 to 100 GHz with 5-dBm constant input power. The saturated output power is more than 100 mW from 82 to 98 GHz. |
| キーワード(和) | W帯 / ミリ波 / 導波管アンプモジュール / InP / HEMT |
| キーワード(英) | W-band / Millimeter-wave / Waveguide Amplifier Module / InP / HEMT |
| 資料番号 | ED2004-55,SDM2004-67 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/6/23(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 75-110GHz利得可変InP-HEMT導波管アンプモジュール : ミリ波分光,ミリ波イメージング装置等へ向けて(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 75-110-GHz Variable Gain InP-HEMT MMIC Waveguide Amplifier Module : for Millimeter-wave spectroscopic systems and imaging systems(Session A2 Compound Semiconductor Devices I)(2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004)) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | W帯 / W-band |
| キーワード(2)（和/英） | ミリ波 / Millimeter-wave |
| キーワード(3)（和/英） | 導波管アンプモジュール / Waveguide Amplifier Module |
| キーワード(4)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(5)（和/英） | HEMT / HEMT |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小杉 敏彦 / Toshihiko KOSUGI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 柴田 随道 / Tsugumichi SHIBATA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 徳光 雅美 / Masami TOKUMITSU |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 榎木 孝知 / Takatomo ENOKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 村口 正弘 / Masahiro MURAGUCHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 伊藤 弘 / Hiroshi ITO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 伊藤 猛 / Tsuyoshi ITO |
| 第 7 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 発表年月日 | 2004/6/23 |
| 資料番号 | ED2004-55,SDM2004-67 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 155 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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