| 講演名 | 2004/6/23 有機液体原料を用いたHWCVD法によるSiCNエッチストッパーの作製(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議) 小田 晃士, 和泉 亮, |
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| 抄録(和) | 原料ガスに非爆発原料で有機液体原料であるヘキサメチルジシラザン(HMDS)を用いたホットワイヤーCVD法でSiCN膜を堆積した。HMDSのみでも堆積は可能であり、NH_3の添加とその流量によってSiCN膜の化学組成が制御できることが明らかとなった。 |
| 抄録(英) | SiCN films were deposited by Hot-wire CVD method using Hexamethyldisilazane (HMDS) which is organic liquid materials without expositon. It is found that SiCN films can be deposited using only HMDS as a source material. It is also found that the composition ratio of SiCN can be controlled by changing the flow rate of NH_3. |
| キーワード(和) | HMDS / HWCVD法 / SiCN / SiN / etch stopper |
| キーワード(英) | HMDS / Hot-wire CVD / SiCN / SiN / etch stopper |
| 資料番号 | ED2004-53,SDM2004-65 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/6/23(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 有機液体原料を用いたHWCVD法によるSiCNエッチストッパーの作製(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of SiCN etch stopper films using organic liquid materials by Hot-wire CDV method(Session A1 Si Novel Device and Process)(2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004)) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | HMDS / HMDS |
| キーワード(2)（和/英） | HWCVD法 / Hot-wire CVD |
| キーワード(3)（和/英） | SiCN / SiCN |
| キーワード(4)（和/英） | SiN / SiN |
| キーワード(5)（和/英） | etch stopper / etch stopper |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小田 晃士 / Koshi Oda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州工業大学工学部 Kyushu Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 和泉 亮 / Akira Izumi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州工業大学工学部 Kyushu Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2004/6/23 |
| 資料番号 | ED2004-53,SDM2004-65 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 155 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |