| 講演名 | 2004/6/23 The Dopant Diffusion Characteristics of the PH_3 Ion Shower Implantation (ISI) and RTA with Oxide Capping for SOI(Session A1 Si Novel Device and Process)(2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004)) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | The PH_3 ISI and the RTA are examined for applying to the S/D of FD SOI MOSFETs. The lower sheet resistance and less dopant diffusion is achieved by reducing the thermal budget with oxide capping prior to RTA, compared to the RTA without oxide capping. We extract the dopant lateral diffusion length and the lateral abruptness experimentally for a 40nm thick SOI from the electrical characteristics of a FD SOI MOSFET. Under the RTA condition of 900℃ 2Osec with oxide capping, the sheet resistance, the lateral diffusion length and the lateral abruptness for a 40nm thick SOI are 250Ω/sq, 33～35nm and 5.4～5.Tnm/dec. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Plasma doping (PD) / Ion SHower Implantation (ISI) / Fully Depleted SOI (FD SOI) / Source and Drain (S/D) / Oxide Capping |
| 資料番号 | ED2004-51,SDM2004-63 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/6/23(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The Dopant Diffusion Characteristics of the PH_3 Ion Shower Implantation (ISI) and RTA with Oxide Capping for SOI(Session A1 Si Novel Device and Process)(2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004)) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Plasma doping (PD) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Ki-Soo Kim |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Electrical and Computer Engineering Division, Pohang University of Science and Technology |
| 発表年月日 | 2004/6/23 |
| 資料番号 | ED2004-51,SDM2004-63 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 155 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |