| 講演名 | 2004/6/23 極薄SOI層と素子間分離領域の形成を一体化する新技術 : SBSI : SiGe選択エッチング特性の硝酸濃度依存性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議) 山崎 崇, 大見 俊一郎, 盛田 伸也, 大理 洋征龍, 室田 淳一, 櫻庭 政夫, 尾身 博雄, 酒井 徹志, |
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| 抄録(和) | 極薄SOI層と素子間分離領域の形成を一体化する新技術として開発を進めているSBSI (Separation by Bonding Si Islands)プロセスで形成されるSOI層について、その層厚の均一性向上を検討した。主要プロセスであるSiGe層の選択エッチング技術に関して、CVD法で形成したSiGe/i-Si(non-doped-Si)積層試料を用い、SiGeとSiのエッチング選択比およびエッチング後の表面ラフネスを調べた結果、エッチングに使用する弗酸と硝酸の混合液における硝酸比を低下することでエッチングの選択比、表面ラフネスを共に向上できることが分かった。更に、改良された混合比のエッチング条件でSBSIプロセスを検証し、形成されるSOI層の層厚均一性が向上することを示した。 |
| 抄録(英) | The etching selectivity of SiGe against Si and the surface roughness after selective etching of the SiGe layer were investigated in samples with SiGe/i-Si(non-doped-Si) stacked layers. It was found that the etching of the i-Si layer could be reduced by decreasing the HN0_3 concentration ; thus, the etching selectivity of SiGe against Si improved by decreasing the HN0_3 concentration. The surface roughness also improved as HN0_3 decreased. Furthermore, the thickness of the Si island fabricated by the SBSI process became uniform by decreasing the HN0_3 concentration. |
| キーワード(和) | Silicon on insulator (SOI)基板 / 部分SOI技術 / シリコンゲルマニウム / 選択エッチング |
| キーワード(英) | Silicon on insulator (SOI) substrate / patterned SOI / SiGe / selective etching |
| 資料番号 | ED2004-50,SDM2004-62 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/6/23(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 極薄SOI層と素子間分離領域の形成を一体化する新技術 : SBSI : SiGe選択エッチング特性の硝酸濃度依存性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Separation by Bonding Si Islands (SBSI) for Adavanced CMOS LSIs : A Study on Selective Etching of SiGe Layers for SBSI Process(Session A1 Si Novel Device and Process)(2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004)) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Silicon on insulator (SOI)基板 / Silicon on insulator (SOI) substrate |
| キーワード(2)（和/英） | 部分SOI技術 / patterned SOI |
| キーワード(3)（和/英） | シリコンゲルマニウム / SiGe |
| キーワード(4)（和/英） | 選択エッチング / selective etching |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山崎 崇 / Takashi YAMAZAKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学総合理工学研究科 Interdisciplinary Graduate School of Science and Enigineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大見 俊一郎 / Shun-ichiro OHMI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学総合理工学研究科 Interdisciplinary Graduate School of Science and Enigineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 盛田 伸也 / Shinya MORITA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学総合理工学研究科 Interdisciplinary Graduate School of Science and Enigineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大理 洋征龍 / Hiroyuki OHRI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学総合理工学研究科 Interdisciplinary Graduate School of Science and Enigineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 室田 淳一 / Junichi MUROTA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute for Electrical Communications, Tohoku University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 櫻庭 政夫 / Masao SAKURABA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute for Electrical Communications, Tohoku University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 尾身 博雄 / Hiroo OMI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 酒井 徹志 / Tetsushi SAKAI |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 東京工業大学総合理工学研究科 Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2004/6/23 |
| 資料番号 | ED2004-50,SDM2004-62 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 155 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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