| 講演名 | 2004/6/23 3D Cell Structure for Low Power and High Performance DRAM : FCAT (Fin-Channel-Array Transistor)(Session A1 Si Novel Device and Process)(2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004)) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Fin-Type cell structure, called Fin-Channel-Array Transistor (FCAT), has been proposed and successfully demonstrated for low power and high performance DRAM devices. FCAT structure is bulk-compatible and can be easily achieved only by recessing the dielectric. To our knowledge, FinFET devices have been applied to develop 512Mb DRAM with sub-70 nm technology for the first time. lt is found that FCAT has a remarkable performance such as excellent short channel effect (SCE) with DIBL of about 13 mV, extremely low sub-threshold swing (SS) of about 75mV/dec, and a high cell current and remarkably low sub-threshold leakage current (～0.2fA/cell). |
| キーワード(和) | DRAM / FinFET / FCAT / SCE |
| キーワード(英) | DRAM / FinFET / FCAT / SCE |
| 資料番号 | ED2004-49,SDM2004-61 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/6/23(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 3D Cell Structure for Low Power and High Performance DRAM : FCAT (Fin-Channel-Array Transistor)(Session A1 Si Novel Device and Process)(2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004)) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | DRAM / DRAM |
| キーワード(2)（和/英） | FinFET / FinFET |
| キーワード(3)（和/英） | FCAT / FCAT |
| キーワード(4)（和/英） | SCE / SCE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Jong-Wook Lee |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Memory Division, Samsung Electronics Co. |
| 発表年月日 | 2004/6/23 |
| 資料番号 | ED2004-49,SDM2004-61 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 155 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |