| 講演名 | 2004/6/23 新しいダブルゲートMOSFET技術(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議) 鈴木 英一, 柳 永勲, 昌原 明植, 石井 賢一, |
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| 抄録(和) | 最近、通常のプレーナー型MOSFETの微細化限界を打破できるデバイスとして、ダブルゲートMOSFETが注目されている。ダブルゲートMOSFETには、プレーナー型、フィン型、縦型の3種類があるが、新しいプロセスによる、フィン型および縦型ダブルゲートMOSFETのすぐれた特性を実験的に示す。さらに、独立した2つのゲートを有するフィン型ダブルゲートMOSFETでは、しきい値電圧を自在に制御できることを実験的に示す。 |
| 抄録(英) | Recently, double-gate (DG) MOSFETs have received much attention as emerging devices which can break through scaling limitation. Among three types of DG MOSFETs, the fin-type and vertical-type DG MOSFETs fabricated by newly developed processes are reported and their excellent characteristics are confirmed. lt is also shown experimentally that the threshold voltage can successfully be controlled in the 4-terminal operation of the independent double gates fin-type MOSFET. |
| キーワード(和) | ダブルゲート / 短チャネル効果 / しきい値電圧 / 4端子動作 |
| キーワード(英) | Double-gate / Short channel effects / Threshold voltage / 4 terminal operation |
| 資料番号 | ED2004-48,SDM2004-60 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/6/23(から1日開催) |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 新しいダブルゲートMOSFET技術(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Emerging Double-Gate MOSFET Technology(Session A1 Si Novel Device and Process)(2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004)) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ダブルゲート / Double-gate |
| キーワード(2)（和/英） | 短チャネル効果 / Short channel effects |
| キーワード(3)（和/英） | しきい値電圧 / Threshold voltage |
| キーワード(4)（和/英） | 4端子動作 / 4 terminal operation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鈴木 英一 / Eiichi Suzuki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門 Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 柳 永勲 / Yougxun Liu |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門 Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 昌原 明植 / Meishoku Masahara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門 Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 石井 賢一 / Kenichi Ishii |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門 Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 発表年月日 | 2004/6/23 |
| 資料番号 | ED2004-48,SDM2004-60 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 155 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |