| 講演名 | 2004/6/15 酸化膜絶縁破壊がMOSFETチャネル電流に与える影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) 細井 宏昭, 鎌倉 良成, 谷口 研二, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | ゲート酸化膜の絶縁破壊は、MOSFETのゲート電流のみならずチャネル電流にも影響を与える。我々は、界面準位発生による閾値シフト・移動度低下、ゲート電流のドレイン端子への流れ込みなどの要因を除去した上で、絶縁破壊がチャネル電流の低下に与える影響を評価した。さらに、そのW依存性、V_g依存性などをもとに物理的起源についての考察を行った。 |
| 抄録(英) | Channel current degradation of small MOSFETs after the occurrence of soft breakdown (SBD)in ultrathin gate oxides is investigated. The SBD induced drain current reduction is observed even after eliminating two possible components, i.e., (1) the threshold voltage shift and the mobility degradation due to the interface trap generation, and (2) the flow of the gate leakage current into the drain terminal. We suppose that the local modulation of the surface potential near the SBD spot prevents the carrier conduction, and a new model is proposed to interpret the gate width and the gate voltage dependence of the channel current degradation. |
| キーワード(和) | MOSFET / 擬似絶縁破壊 / 信頼性 / 電気特性 / 劣化 |
| キーワード(英) | MOSFET / Soft Breakdown / Reliability / Electric Characteristics / Degradation |
| 資料番号 | SDM2004-53 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2004/6/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 酸化膜絶縁破壊がMOSFETチャネル電流に与える影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of Soft Breakdown in Ultrathin Gate Oxides on Channel Current |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 擬似絶縁破壊 / Soft Breakdown |
| キーワード(3)（和/英） | 信頼性 / Reliability |
| キーワード(4)（和/英） | 電気特性 / Electric Characteristics |
| キーワード(5)（和/英） | 劣化 / Degradation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 細井 宏昭 / Hiroaki HOSOI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Department of Electronics and Information Systems, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鎌倉 良成 / Yoshinari KAMAKURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Department of Electronics and Information Systems, Osaka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 谷口 研二 / Kenji TANIGUTI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Department of Electronics and Information Systems, Osaka University |
| 発表年月日 | 2004/6/15 |
| 資料番号 | SDM2004-53 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 135 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |