| 講演名 | 2004/6/14 気液ハイブリッド法によるハフニウムシリケート薄膜の作製とその電気特性 : TEOSによるシリケート膜の成長(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) 玄 一, 北條 大介, 安田 哲二, |
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| 抄録(和) | 気液ハイブリッド法とは、気相中での原料ガス吸着と液相中での加水分解を繰り返して基板上に薄膜を堆積する新規成膜法である。我々はHf(O^tC_4H_9)_4とSi(OC_2H_5)_4を原料として、室温でVALID法によりハフニウムシリケート膜を作製した。As-depositedシリケート膜を真空熱処理により脱水・緻密化し、Au上部電極を蒸着してMOSキャパシタを作製した。シリケート膜のC-Vはフラツトバンドシフトを除いて、理想曲線と良く一致した。また、リーク電流はSiO_2より4桁小さかった。 |
| 抄録(英) | We report electrical properties of hafnium silicate films prepared in an atomic layer deposition mode using Hf(O^tC_4H_9)_4 and Si(OC_2H_5)_4 precursors. Film deposition was carried out at room temperature using the vapor-liquid hybrid deposition technique. The C-V curves of the metal-oxide-semiconductor capacitor fabricated by postdeposition anneal and Au electrode evaporation shows good agreement with the theoretical one except for a positive flatband voltage shift. The leakage current density was four orders of magnitude lower than SiO_2 reference data. |
| キーワード(和) | High-k / HfO_2 / シリケート / TEOS / VALID / ALD |
| キーワード(英) | High-k / HfO_2 / silicate / TEOS / VALID / ALD |
| 資料番号 | SDM2004-46 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/6/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 気液ハイブリッド法によるハフニウムシリケート薄膜の作製とその電気特性 : TEOSによるシリケート膜の成長(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth and electrical properties of hafnium silicat films by vapor-liquid hybrid deposition : Growth of silicate films using TEOS precursor |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | High-k / High-k |
| キーワード(2)（和/英） | HfO_2 / HfO_2 |
| キーワード(3)（和/英） | シリケート / silicate |
| キーワード(4)（和/英） | TEOS / TEOS |
| キーワード(5)（和/英） | VALID / VALID |
| キーワード(6)（和/英） | ALD / ALD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 玄 一 / Yi XUAN |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 半導体MIRAI-産総研ASRC MIRAI-ASRC, AIST |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 北條 大介 / Daisuke HOJO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 半導体MIRAI-産総研ASRC MIRAI-ASRC, AIST |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 安田 哲二 / Tetsuji YASUDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 半導体MIRAI-産総研ASRC MIRAI-ASRC, AISt |
| 発表年月日 | 2004/6/14 |
| 資料番号 | SDM2004-46 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 134 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |