| 講演名 | 2004/6/14 窒素励起活性種を用いたPLD-HfSixOy膜への窒素導入 : Hfの組成と窒素プロファイルの制御(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) 中村 秀碁, パンチャイペッチ プラカイペッチ, 矢野 裕司, 畑山 智亮, 浦岡 行治, 冬木 隆, 堀井 貞義, |
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| 抄録(和) | PLDCVD法を用いて堆積したHfSiO膜ヘリモートプラズマ法により、窒素の導入を行った。膜内の窒素プロファイルをX線光電子分光法(XPS)や2次イオン質量分析法(SIMS)によって解析した。膜内の窒素濃度は最高25%程度まで導入可能であることがわかった。導入された窒素は、主にSiと結合するためSiの濃度に大きく依存することがわかった。HfとSiの組成を制御することにより、膜内の窒素の深さ方向へのプロファイルの制御が可能であることを見出した。また、窒素導入により、リーク電流の低減や比誘電率の向上を確認した。 |
| 抄録(英) | The high-k hafnium silicates (HfSixOy) were prepared by polyatomic layer chemical vapor deposition (PLCVD) method. Nitrogen was introduced into the samples by plasma nitridation by N2 and Ar carrier gases. The effect of N2 incorporation of high-k HfSixOy on the physical andelectrical properties is reported. The substrate temperature during nitrogen plasma was controlled and kept in the range of 400-600oC. Angle resolvedX-ray photoelectron Spectroscopy (AR-XPS) was used to check chemical composition and nitrogen profile. The effect of nitrogen incorporation in the electrical properties of this nitride HfSixOy samples is analyzed by measuring current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (O-V) characteristics |
| キーワード(和) | Hfシリケート / X線光電子分公法 / OLCVD / リモートプラズマ法 / 窒素活性種 |
| キーワード(英) | hafnium silicates / PLCVD / XPS / remote plasma / radical nitrogen |
| 資料番号 | SDM2004-45 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/6/14(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 窒素励起活性種を用いたPLD-HfSixOy膜への窒素導入 : Hfの組成と窒素プロファイルの制御(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Radical Nitridation of PLCVD HfSixOy Gate Dielectrics : Control of Hf composition and nitrogen profile |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Hfシリケート / hafnium silicates |
| キーワード(2)（和/英） | X線光電子分公法 / PLCVD |
| キーワード(3)（和/英） | OLCVD / XPS |
| キーワード(4)（和/英） | リモートプラズマ法 / remote plasma |
| キーワード(5)（和/英） | 窒素活性種 / radical nitrogen |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中村 秀碁 / Hideki Nakamura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 Nara Institute of Science and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | パンチャイペッチ プラカイペッチ / Prakaipetch Punchaipetch |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 Nara Institute of Science and Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 矢野 裕司 / Hiroshi Yano |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 Nara Institute of Science and Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 畑山 智亮 / Tomoaki Hatayama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 Nara Institute of Science and Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 Nara Institute of Science and Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 冬木 隆 / Takashi Huyuki |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 Nara Institute of Science and Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 堀井 貞義 / Sadayoshi Horii |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 日立国際電気 Hitachi Kokusai Electric Inc |
| 発表年月日 | 2004/6/14 |
| 資料番号 | SDM2004-45 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 134 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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