| 講演名 | 2004/6/14 放射光光電子分光とX線吸収分光による高誘電率HfO_2膜の電子状態 : UHV中アニール効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) 豊田 智史, 岡林 潤, 組頭 広志, 尾嶋 正治, 丹羽 正昭, 臼田 宏治, 劉 国林, |
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| 抄録(和) | HfO_2ゲート絶縁膜について化学結合状態およびバンド構造に対するアニール効果を系統的に調べるため、放射光光電子分光およびX線吸収分光測定を行なった。Hf金属前処理を行なっていない試料と行なった試料について、内殻スペクトル形状のアニール変化を比較したところ、Hf金属前処理によってSi0_2析出およびHfシリサイド化反応を抑制できることが分かった。1000℃加熱後のHf 4f光電子スペクトルから金属表面折出物はHf 金属およびHfシリサイドが相分離状態をとっていることが分かった。Hf金属前処理を行なった試料において、800℃ および900℃のアニール後、価電子帯スペクトルは2つの状態に分裂し、O k-edge吸収スペクトル形状はシヤープになった。このことはHf0_2の結晶化に関係しているものと考えられる。 |
| 抄録(英) | We have performed photoemission spectroscopy and x-ray absorption spectroscopy of HfO_2 gate insulators to investigate the annealing effect of chemical states and electronic band structures systematically. Comparing the line shapes of core-level photoemission spectra for two systems with and without Hf-metal predeposition, we have found that Hf-metal predeposition reduces the segregation of SiO_2 and Hf-silicide. Hf 4 f core-level spectra revealed that the annealing at 1000℃ causes the phase separation of Hf-metal and Hf-silicide in clusters segregated at Si surface. In the case with the Hf-metal predeposition, valence-band spectra are split into double peaks and the line shapes of O K-edge x-ray absorption spectra become sharp by annealing at 800℃ and 900℃, suggesting the crystallization of the Hf0_2 layer. |
| キーワード(和) | 高誘電率膜(HfO_2) / 放射光光電子分光 / X線吸収分光 / UHV中アニール / シリサイド化 / 結晶化 |
| キーワード(英) | Photoemission spectroscopy / X-ray absorption spectroscopy / High-k gate dielectric (HfO_2) / UHV annealing / Silicidation / Crystallization |
| 資料番号 | SDM2004-43 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/6/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 放射光光電子分光とX線吸収分光による高誘電率HfO_2膜の電子状態 : UHV中アニール効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electronic structures of high-dielectric HfO_2 gate insulators studied by photoemission spectroscopy and x-ray absorption spectroscopy : UHV annealing effect |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高誘電率膜(HfO_2) / Photoemission spectroscopy |
| キーワード(2)（和/英） | 放射光光電子分光 / X-ray absorption spectroscopy |
| キーワード(3)（和/英） | X線吸収分光 / High-k gate dielectric (HfO_2) |
| キーワード(4)（和/英） | UHV中アニール / UHV annealing |
| キーワード(5)（和/英） | シリサイド化 / Silicidation |
| キーワード(6)（和/英） | 結晶化 / Crystallization |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 豊田 智史 / Satoshi TOYOTA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科 Department of Applied Chemistry, The University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岡林 潤 / Jun OKABAYASHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科 Department of Applied Chemistry, The University of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 組頭 広志 / Hiroshi KUMIGASHIRA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科 Department of Applied Chemistry, The University of Tokyo |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 尾嶋 正治 / Masaharu OSHIMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科 Department of Applied Chemistry, The University of Tokyo |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 丹羽 正昭 / Masaaki NIWA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 半導体理工学研究センター Semiconductor Technology Academic Research Center |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 臼田 宏治 / Koji USUDA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 半導体理工学研究センター Semiconductor Technology Academic Research Center |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 劉 国林 / Guo-Lin LIU |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 半導体理工学研究センター Semiconductor Technology Academic Research Center |
| 発表年月日 | 2004/6/14 |
| 資料番号 | SDM2004-43 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 134 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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