| 講演名 | 2004/6/14 ラジカル窒化過程におけるエネルギーバンドギャップ形成機構のSTM/STS解析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) 近藤 博基, 河合 圭吾, 宮崎 香代子, 酒井 朗, 財満 鎭明, 安田 幸夫, |
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| 抄録(和) | 次世代ゲート絶縁膜として期待されるシリコン窒化膜について、ラジカル窒化法における初期成膜過程をSTMならびにSTSによって解析した。ラジカル窒化過程では、成膜様式(層状成長または島状成長)は窒化種に依存せず、成膜温度のみに依存するが、エネルギーバンドギャップはラジカルガンの高周波電源電力の変化に伴う窒化種の変化に強く依存することがわかった。原子レベルで平坦で、大きなエネルギーバンドギャップを持つラジカル窒化膜の形成には、窒化種の制御が重要であることがわかった。 |
| 抄録(英) | We have investigated initial growth process in the radical nitridation by scanning tunneling microscopy (STM) and scanning tunneling spectroscopy (STS). The surface profiles of the nitride layers are independent to RF power applied to the radical-gun and only depend on substrate temperature. It indicates that the silicon nitride growth mode is attributed to the surface silicon atom migration but doesn't depend on kind of reactive species. 0n the other hand, the energy bandgap of the nitride layer is significantly changed with RF power. According to the emission and absorption spectroscopy of the nitrogen plasma, it is deduced that the contribution of the excited-state nitrogen atoms to the radical nitridation increases as RF power increases. Since silicon nitride growth and energy bandgap formation have different thermal-activated mechanisms, atomically flat surface and wide energy bandgap are compatible by the control of reactive species. |
| キーワード(和) | シリコン窒化膜 / ラジカル窒化 / 走査トンネル顕微鏡(STM) / 走査トンネル分光(STS) / エネルギーバンドギャップ |
| キーワード(英) | Silicon nitride / Radical nitridation / Scanning tunneling microscopy / Scanning tunneling spectroscopy / Energy bandgap |
| 資料番号 | SDM2004-40 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2004/6/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ラジカル窒化過程におけるエネルギーバンドギャップ形成機構のSTM/STS解析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Formation Mechanism of the Energy Bandgap in the Radical Nitridation Process |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン窒化膜 / Silicon nitride |
| キーワード(2)（和/英） | ラジカル窒化 / Radical nitridation |
| キーワード(3)（和/英） | 走査トンネル顕微鏡(STM) / Scanning tunneling microscopy |
| キーワード(4)（和/英） | 走査トンネル分光(STS) / Scanning tunneling spectroscopy |
| キーワード(5)（和/英） | エネルギーバンドギャップ / Energy bandgap |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 近藤 博基 / Hiroki KONDO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 河合 圭吾 / Keigo KAWAAI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科:(現)NECエレクトロニクス株式会社 Graduate School of Engineering, Nagoya University:(Pressent address)NEC Electronics Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宮崎 香代子 / Kayoko MIYAZAKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 酒井 朗 / Akira SAKAI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 財満 鎭明 / Shigeaki ZAIMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 安田 幸夫 / Yukio YASUDA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University:(Pressent Adress)KUT Research Institute, Kochi University of Technology |
| 発表年月日 | 2004/6/14 |
| 資料番号 | SDM2004-40 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 134 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |